快科技@中科院研发低维半导体技术:纳米画笔“画出”各种芯片( 二 )
运用该技术 , 若用电压读出的方式 , 理论上的存储密度可以达到几个T-Byte/in2 。
本文插图
本研究由中国科学院上海技术物理研究所与复旦大学、华东师范大学、南京大学 , 中国科学院微电子研究所等多个课题组合作完成 。
【快科技@中科院研发低维半导体技术:纳米画笔“画出”各种芯片】研究成果已于2020年1月24日 , 发表于《自然-电子学》 , 文章标题“Programmable transition metal dichalcogenide homojunctions controlled by nonvolatile ferroelectric domains” 。
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