「材料科学」用氧化物定制人脑之梦( 八 ) |物理|人工智能|电脑|

C. Ge, C. X. Liu, Q. L. Zhou, Q. H. Zhang, J. Y. Du, J. K. Li, C. Wang, L. Gu, G. Z. Yang, K. J. Jin, A ferrite synaptic transistor with topotactic transformation. Adv. Mater. 31, 1900379 (2019).

H. Y. Huang, C. Ge, Q. H. Zhang, C. X.Liu, J. Y. Du, J. K. Li, C. Wang, L. Gu, G. Z. Yang, K. J. Jin, Electrolyte-gated synaptic transistor with oxygen ions. Adv. Funct. Mater. 29, 1902702 (2019).

J. K. Li, N. Li,C. Ge, H. Y. Huang, Y. W. Sun, P. Gao, M. He, C. Wang, G. Z. Yang, and K. J. Jin, Giant electroresistance in ferroionic tunnel junctions, iScience 16, 368 (2019).

Z. Wen and D. Wu, Ferroelectric tunnel junctions: Modulations on the potential barrier, Adv. Mater. 1904123 (2019).

J. K. Li, C. Ge,J. Y. Du, C. Wang, G. Z. Yang, and K. J. Jin, Reproducible ultrathin ferroelectric domain switching for high-performance neuromorphic computing, Adv. Mater. 1905764 (2019).

https://www.iyiou.com/p/87345.html

备注：
(1) 笔者供职于中科院物理研究所，任副研究员、博士生导师。一直围绕极化场 (铁电和电解质) 调控功能氧化物界面的基本科学问题，探索实现高性能的电子信息器件。通过电解质极化场控制 H 和 O 离子在界面迁移实现高性能的突触晶体管，对电解质突触晶体管器件的优化设计和性能改善具有重要的参考意义；制备了目前开关比最大的铁电隧穿结，进一步通过铁电畴逐渐翻转实现了高性能铁电氧化物突触器件。在包括 iScience (Cell子刊)、Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.、PRB 等期刊上发表 SCI 论文 60 余篇，引用 1000 余次。承担国家重点研发计划 (课题负责人)、国家自然科学基金、中科院青促会等多个项目。
(2) 题头小诗乃 Ising 所撰，表达对从事类脑仿制的人们的敬意。
(3) 封面图片取自：https://miro.medium.com/max/3840/
(4) 本文引用的若干论文链接：
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/admi.201500407
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.201801548
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211285519309759
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.201900379
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.201902702
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2589004219301804
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.201905764