【】英特尔希望在Xe显卡使用台积电6nm和3nm工艺


有传言称 , 英特尔将其下一代Xe显卡开发与台积电的节点开发周期保持一致 , 据报道英特尔正与台湾代工厂商谈为其大型Xe GPU分配6nm和3nm的问题 。 但是 , 据报道 , 英特尔在市场上推出的首款Xe显卡建立在该公司自己的10nm+工艺上 。
【】英特尔希望在Xe显卡使用台积电6nm和3nm工艺
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【【】英特尔希望在Xe显卡使用台积电6nm和3nm工艺】尽管英特尔对台积电3纳米的迷恋是可以理解的 , 但希望使用台积电的6纳米节点却令人大跌眼镜 。 台积电内部称为“ N6”的6纳米硅制造节点有望在2020年底或2021年初投入使用 , 届时英特尔的10纳米+节点有望从Tiger Lake处理器开始量产 。 也许在英特尔公司内部已经做出决定 , 以确保Xe显卡不会过多地使用用于处理器制造的代工厂产能 , 而是最终将Xe制造业外包给台积电和三星等第三方代工厂 。 早在2019年4月 , 就有传言称英特尔正在评估三星作为Xe的代工合作伙伴 。


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