【预计 3 分钟读完】英特尔5nm制程电晶体面临瓶颈，或弃用 FinFET专用GAA环绕栅极电晶体？
【【预计 3 分钟读完】英特尔5nm制程电晶体面临瓶颈，或弃用 FinFET专用GAA环绕栅极电晶体？】
英特尔在 5 纳米节点上将会放弃 FinFET电晶体 ， 转向 GAA 环绕栅极电晶体 。
此前 ， 英特尔(Intel)的财务长 George Davis 在公开场合表示 ， 目前除了 10 纳米产能正在加速之外 ， 英特尔还将恢复制程技术领先的关键部分寄望在未来更先进制程的发展上 ， 包括英特尔将在 2021 年推出 7 纳米制程技术 ， 并且将在 7 纳米制程的基础上发展出 5 纳米制程 。
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据悉 ， 随着制程技术的升级 ， 芯片的电晶体制作也面临着瓶颈 。 英特尔最早在 22 纳米的节点上首先使用了 FinFET 电晶体技术 ， 当时叫做 3D 电晶体 ， 就是将原本平面的电晶体 ， 变成立体的 FinFET 鳍式场效电晶体 ， 不仅提高了芯片的性能 ， 也降低了功耗 。 之后 ， FinFET 电晶体也成为全球主要晶圆厂制程发展的选择 ， 一直用到现在的 7 纳米及 5 纳米制程节点上 。
目前在 GAA 电晶体上也有多种技术发展路线 。 如之前三星提到自家的 GAA 电晶体相较于第一代的 7 纳米制程来说 ， 能够提升芯片 35%的性能 ， 并且降低 50%的功耗以及 45%的芯片面积 。 对于三星而言 ， GAA 电晶体就已经有这样的效能 ， 而英特尔在技术实力上会比三星要更加强大 ， 未来英特尔在 GAA 电晶体的发展上 ， 期提升效能应该会更加明显 。
另外 ， 其竞争对手台积电目前在 2020 年首季准备量产 5 纳米制程上 ， 依旧采用 FinFET 电晶体 。 但是 ， 到了下一世代的 3 纳米节点 ， 目前台积电还尚未公布预计的制程方式 。 根据台积电官方的说法 ， 其 3 纳米相关细节将会在 2020 年的 4 月 29 日的的北美技术论坛上公布 。
目前 ， 英特尔 5 纳米制程的问世时间也还没明确的时间表 。 不过 ， 英特尔之前提到 7 纳米之后制程技术发展周期将会回归以往的 2 年升级的节奏上 ， 因此就是表示最快 2023 年就能见到英特尔的 5 纳米制程技术问世 。
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