军事管制要开心@GaO的通道迁移率胜过SiC
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据初创公司Flosfia报道说 ， 在常关配置下 ， 其氧化镓（GaO）功率半导体的性能优于碳化硅（SiC） 。
【军事管制要开心@GaO的通道迁移率胜过SiC】FlosfiaLtd.（日本东京）成立于2011年 ， 是将刚玉结构的氧化镓（α-Ga2O3）用作功率半导体的先驱 。 该公司表示 ， 在常关操作中 ， 其沟道迁移率达到了72cm2/Vs ， 而碳化硅为30cm2/Vs 。 
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然而 ， 其他功率半导体可能需要施加功率来关闭晶体管 ， 而这种技术具有在没有电压施加到栅极时会关闭的技术 ， 这是用于安全系统的功率晶体管的重要特性 。
Flosfia通过器件仿真计算了600V至1200V耐压的GaOMOSFET的特性导通电阻 ， 发现导通电阻约为市售SiC的50％或更小 。
Flosfia已与Hakuto和KyoeiSangyo签署了协议 ， 两家公司将作为分销商处理刚玉型氧化镓功率器件 。 
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今天是《半导体行业观察》为您分享的第2201期内容 ， 欢迎关注 。 
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