[技术]超薄二维半导体研制成功，1纳米芯片或成可能( 二 )
成功地在1英寸Cu（111）薄膜上生长单晶hBN之后 ， 该团队进一步将生产规模扩大到了两英寸c-plane蓝宝石晶圆上 。 鉴于完全生长的hBN层与Cu（111）之间的相互作用仅限于弱范德华力 ， 因此可以借助电化学过程进行聚合物辅助转移来实现晶圆级hBN的分离 。
该团队表示 ， 与使用厚铜箔或其他金属相比 ， 单晶晶圆级hBN在Cu（111）薄膜上的生长具有可扩展性 ， 并且更具成本效益 ， 对未来芯片制程的缩小具有十分重要的意义 ， 对于微电子行业而言亦可能是一种首选方法 。 同时 ， 晶圆级单晶hBN的可用性将刺激并实现未来二维电子学的进一步研究和开发 。
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