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■【芯历史】疫情催化，新基建加持，国产存储能否解决缺“芯”之苦

江湖上 ， 关于存储的话题从没间断 。
作为全球最大的电子产品制造国和重要的电子产品消费市场 ， 中国对存储芯片有着长久且巨大的需求 。而在存储领域 ， 韩国三星、海力士和美国美光三家企业把控了全球主要市场份额 。
根据最新的统计数据 ， 2019年中国进口的3000多亿美元芯片产品中 ， 存储芯片大概占了1/3 ， 价值千亿美元的内存、闪存芯片国产率基本为0 。触目惊心的进口数据 ， 更凸显国产存储存在的巨大缺口 。
国产存储布局
在存储方面 ， 国家并不是从不作为 ， 恰恰相反 ， 中国在存储器领域一直在持续布局 。
1975年 ， 北京大学物理系半导体研究小组 ， 由王阳元等人设计出我国第一批三种类型（硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS）的1K DRAM动态随机存储器 。
■【芯历史】疫情催化，新基建加持，国产存储能否解决缺“芯”之苦
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图：王阳元领导的课题组研制成功第一块三种类型的1024位MOS动态随机存储器
1978年10月 ， 中国科学院成立半导体研究所 ， 由王守武领导 ， 研制4K DRAM ， 次年在中科院109厂投入批量生产（比美国晚六年） 。
1981年中科院半导体所又研制成功16K DRAM 。
1985年 ， 江苏无锡江南无线电器材厂（742厂）制造出中国第一块64K DRAM 。
1986 年 ， 电子部厦门集成电路发展战略研讨会上提出“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略 ， 即普及推广 5 微米技术 ， 开发 3 微米技术 ， 进行 1 微米技术科技攻关 。在技术基础向前推进的基础下 ， 1986-1989 年 ， 由 742 厂和永川半导体所无锡分所合并成立了华晶电子集团 ， 成功研制了中国人第一块 64k DRAM ， 采用 2.5 微米工艺 。
1990年11月 ， 清华大学李志坚院士研制成功具有我国独立自主版权、在性能指标上达到世界先进水平的1兆位汉字只读存储器（1M ROM）芯片 ， 突破国外对先进科技的禁运 ， 满足国家的战略需求 。
1993年 ， 已经改组的无锡华晶电子公司（原无锡742厂） ， 制造出中国第一块256K DRAM 。
2005年 ， 兆易创新成立 ， 其早期以SRAM起家 ， 并于2006年8月量产低功耗SRAM产品；后期开始做NOR Flash ， 并于2008年1月开始量产第一颗180nm产品 。
2006年 ， 武汉新芯成立（也就是后来的长江存储的前身） ， 最初决定生产DRAM ， 孰料工厂还未完工 ， 就遭遇全球DRAM价格崩盘 ， 于是果断转向NOR闪存产品 。
2014年6月 ， 国家颁布《集成电路产业发展推进纲要》 ， 提出设立国家集成电路产业基金（简称“大基金”） ， 将半导体产业新技术研发提升至国家战略高度 。在存储器制造方面 ， 大基金与湖北省、紫光集团集中投资了长江存储NAND Flash项目（投资近190亿元） ， 这也是大基金单笔最大投资 。
转折的到来
2016年 ， 国产存储进入历史的转折 ，在提高存储芯片的自给自足率方面 ， 长江存储、合肥长鑫、福建晋华成为拉动国产存储产业发展的三股重要力量 ， 长江存储主攻 NAND ， 长鑫与晋华则是DRAM 。可以这么说 ， 2016年之后国产存储开启了三大厂“三足鼎立”的时期 。
国产存储领域最先取得突破的是长江存储 ， 其在2017年10月通过“自研+国际合作”方式设计制造了中国首款 3D NAND 闪存 。
长江存储成立于2016年7月 ， 由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投在武汉新芯的基础上组建而成 。
2016年12月 ， 以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设 ， 其中包括3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑 ， 预计项目建成后总产能将达到30万片/月 ， 年产值将超过100亿美元 。
最新消息显示 ， 2019年9月 ， 长江存储已经开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存 。这是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品 ， 拥有同代产品中最高的存储密度 ， 同时也是中国首款64层3D NAND闪存 ， 意义可谓重大 。


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