『CHIP TV』DDR5将于2021年量产&美光也可提供HBM2显存
近期 , 内存芯片业界的重头戏除了DDR5何时量产外 , 在带宽、性能及能效上更精进的HBM2显存也是各大厂商竞争的关键点 。
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受到疫情的影响 , 三星电子、SK Hynix等内存芯片厂无法全力生产保证产能 , 但相应技术革新与未来芯片发展布局却一刻未停 。 三星电子表示 , 由于EUV技术减少了光刻中多次曝光的重复步骤 , 并提高了光刻的准确度 , 从而提高性能、提高产量 , 并缩短了开发时间 。 因此 , 2021年将会使用EUV工艺 , 在韩国平泽的新工厂量产DDR5内存;三星同时宣布第一批采用EUV工艺的DDR4内存已经出货了100万 。
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据悉 , 三星第四代10nm(D1a)DRAM或高端14nm DRAM开始全面导入EUV技术 , 明年会使用D1a工艺大规模量产DDR5和LPDDR5芯片 , 预计会使12英寸晶圆厂的生产效率翻倍 。
除了 DDR5方面有落实的消息外 , 在带宽、性能及能效上更精进的HBM2显存也是内存芯片巨头们的心头好 。 近日 , 固态技术协会(JEDEC)推出了HBM2e规范 。 根据规范 , HBM2存储标准JESD235C将针脚带宽提高到3.2Gbps , 速率提升25%到60% 。 此外 , HBM2e的单Die最大2GB、单堆栈12 Die(无标准高度限制) , 也就是24GB容量 , 匹配1024bit位宽 , 单堆栈理论最大带宽410GB/s 。 对于支持四堆栈(4096bit)的图形芯片来说 , 总带宽高达1.64TB/s , 容量可达96GB 。
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值得注意的是 , HBM2e规范最早是由三星电子和SK Hynix共同提出 , 而三星已经抢先推出容量可达96GB的HBM2e显存 。 当然作为第三大内存芯片厂商的美光科技也不会掉队 。 在最新的收益报告中宣布 , 他们将开始提供HBM2内存/显存 , 用于高性能显卡 , 服务器处理器产品 。
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【『CHIP TV』DDR5将于2021年量产&美光也可提供HBM2显存】据悉 , HBM显存从2015年的AMD Fury系列显卡上首发 , 不过经历五年时间都未普及 , 主要原因还是因为其成本太高 , 同时还有产能太少有关 , 如今三大内存芯片厂商都投入到HBM显存领域 , 期待能尽快普惠消费级大众 。
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