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『氮化镓』氮化镓快充或引发充电革命？第三代半导体材料GaN到底有多神？( 三 )


新发射器具有与旧发射器相同的外形和功能 ， 不需要额外的冷却 ， 并且可以在通电几秒钟内运行 。 这意味着采用新型GaN发射器的GEM-T将能够继续在最苛刻的条件下运行 。 这种发射器技术也可能会在其他导弹上看到其他测试 。 美国陆军表示有兴趣用这些类型的发射器取代整个库存 ， 在GEM-T计划中采用这些发射器能够将修复成本降低36％ 。
最后我们来看看 ， 现在什么是氮化镓（GaN）器件发展道路上的“拦路虎”呢？影响最大的就是：价格 。 回顾前两代半导体的演进发展过程 ， 任何一代半导体技术从实验室走向市场 ， 都面临商用化的挑战 。 目前GaN也处于这一阶段 ， 成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等 ， 而走向平民化 ， 而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件 。 随着第三代半导体的普及临近 ， 也让我们有幸见证这一刻的到来 。
『氮化镓』氮化镓快充或引发充电革命？第三代半导体材料GaN到底有多神？
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