【】SSD 主控催化剂：STT
GlobalFoundries、Everspin联合宣布 ， 双方已经达成新的合作 ， 将利用GF12LP(12nmFinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存) ， 包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM 。
MRAM是一种非易失性存储 ， 其前景被广泛看好 ， Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究 ， 读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存 ， 但同时又是非易失性的 ， 也就是可以断电保存数据 ， 综合了传统内存、闪存的优点 。
STT-MRAM则进一步通过自旋电流实现数据写入 ， 具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点 ， 只是容量密度提升困难 ， 所以想取代内存、闪存暂时不现实 ， 但非常适合用在各种嵌入式领域 。
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GF、Everspin的良好合作由来已久 ， 2012年的第一代STT-MRAM就是用GF40nm制造的 ， 单颗容量32MB ， 2019年的第二代则升级为GF28nm ， 单颗容量翻了两番达到128MB 。
就在日前 ， GF22FDX工艺成功试产了eMRAM ， -40℃到125℃环境下可工作10万个周期 ， 数据保持可长达10年 。
进一步升级到12nm ， 自然有利于进一步提升MRAM的容量密度 ， 并继续降低成本 ， 尤其是随着MRAM芯片容量的提高 ， 迫切需要更先进的工艺 。
GF12nm工艺包括12LP、12LP+两个版本 ， 虽然算不上多先进但也有广阔的用武之地 ， 尤其适合控制器、微控制器等 ， 比如群联电子、Sage的不少企业级SSD主控都计划加入eMRAM ， 从而提升性能、降低延迟、提高QoS 。
虽然大家可能觉得没见过MRAM ， 不过Everspin宣称已经向100多家客户出货了1.25亿颗MRAM芯片 ， 还援引报告称到2029年独立MRAM芯片销售额可达40亿美元 。
【【】SSD 主控催化剂：STT】
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