「」三星宣布512GB eUFS3.1闪存已大规模生产，写入速度提升3倍
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集微网消息（文/Jimmy） ， 据ZDnet报道 ， 三星电子宣布 ， 已经开始大规模生产面向智能手机的512GB嵌入式通用闪存(eUFS) 3.1 。
【「」三星宣布512GB eUFS3.1闪存已大规模生产，写入速度提升3倍】这款新的闪存写入速度是之前的512GB eUFS 3.0的三倍 ， 达到每秒1200 MB 。三星表示 ， 与使用固态硬盘或MicroSD卡的传统个人电脑相比 ， 这将大大加快智能手机的数据传输速度 。新一代闪存的串行读取速度为2100 MB / s ， 随机读取和写入速度分别为100,000 IOPS(每秒输入/输出操作)和70,000 IOPS 。
除了512GB容量 ， 三星的eUFS 3.1系列也将有256GB和128GB的容量 。三星表示 ， 其平泽工厂的P1生产线已经开始生产六代V-NAND 。与此同时 ， 其位于中国西安工厂的新X2生产线已经开始生产五代V-NAND 。（校对/ Jurnan ）
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