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：三星量产512GB eUFS 3.1，平泽P1产线将更新为生产100+层V-NAND

【：三星量产512GB eUFS 3.1，平泽P1产线将更新为生产100+层V-NAND】三星电子宣布已经开始批量生产用于智能手机的512GB eUFS 3.1 ， 其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍 ， 打破了智能手机存储中1GB/s的阈值 。除了512GB选项外 ， 三星还将于今年晚些时候推出256GB和128GB容量 。?
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三星512GB eUFS 3.1
三星电子存储器销售与市场营销执行副总裁Cheol Choi表示 ， 随着开始批量生产最快速度的移动存储 ， 智能手机用户将不再担心传统存储卡所面临的瓶颈 ， 新的eUFS 3.1反映了我们对支持全球智能手机制造商迅速增长的需求的持续承诺 。
三星eUFS 3.1连续写入速度超过1,200MB/s ， 是基于SATA SSD (540MB/s)的两倍以上 ， 是UHS-I microSD卡（90MB/s）的十倍以上 。这意味着在没有任何缓冲的情况下 ， 将8K视频或数百张大尺寸照片等海量文件存储在智能手机中时 ， 消费者可以享受和超薄笔记本一样的速度 。配备新款eUFS 3.1的智能手机仅需1.5分钟即可移动100GB数据 ， 而基于UFS 3.0的电话则需要4分钟以上 。
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Mobile Flash发展历程
就随机性能而言 ， 512GB eUFS 3.1的处理速度比UFS 3.0版本快60％ ， 每秒可提供100,000 IOPS ， 而写入则可提供70,000 IOPS 。
目前 ， 除三星之外 ， 西部数据和Kioxia也相继在2020年推出UFS 3.1相关产品 。其中西部数据iNAND MC EU521采用主流的96层3D NAND ， 并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存 ， 可提供最高800MB/s的顺序写入速度 ， 较三星UFS3.1产品1200MB/s的连续写入速度 ， 相差约30%,且容量选择仅提供128GB和256GB 。Kioxia UFS 3.1产品的容量选择较前两者均丰富 ， 在128GB ， 256GB ， 512GB之外 ， 还提供1TB容量选择 ， 性能方面虽没有具体数值 ， 但表示写速是UFS 3.0的2~3倍 ， 连续读速比UFS 3.0提升30% 。
三星嵌入式存储产品阵容
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三星嵌入式存储产品阵容
此外 ， 三星表示 ， 将在本月开始在西安二期产线量产第五代V-NAND ， 以完全满足旗舰和高端智能手机市场的存储需求 ， 并计划将平泽P1产线由第五代V-NAND更新为第六代V-NAND 。


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