『化合物半导体市场』海特高新发布5G宏基站氮化镓芯片制造解决方案
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根据海特高新子公司海威华芯官网消息 ， 3月31日海威华芯5G基站产品在2020成都新经济新场景新产品首场发布会上向全球发布 。
此次 海威华芯发布的5G基站核心产品 ， 采用的是500 纳米的氮化镓异质高迁移率晶体管（HEMT）制造工艺 ， 以碳化硅为衬底 ， 以氮化镓为外延 ， 芯片历经多层外延结构设计 ， 几百道制程 ， 攻克了应力控制、背孔刻蚀等大量国际公认的制造难题 。
在产品性能上 ， 经过主要机构的产品测试 ， 海威华芯的产品在功率密度、产品效率、一致性等方面均达到国际先进水平 。 在产能方面 ， 海威华芯有专门的4 吋6 吋兼容的产线 ， 完全满足客户的需求 。
海威华芯目前已成功建成投产先进的6英吋并兼容4英吋的碳化硅基氮化镓生产线 ， 掌握了5G 基站射频芯片核心制造技术 ， 该技术顺利通过了验证 。
【『化合物半导体市场』海特高新发布5G宏基站氮化镓芯片制造解决方案】据了解 ， 海威华芯第三代半导体产品应用于5G 移动通信、AI 人工智能、雷达、汽车电子、电力电子、光纤通讯、3D 感知、新能源、国防军工等领域 。 公司在5G宏基站射频GaN 产品上取得重大突破；硅基氮化镓功率器件芯片已实现小批量量产 ， 是国内领先进行硅基氮化镓量产的企业 。
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