『』中芯国际概述N+1节点投产计划 较14nm工艺更具成本优势
去年 , 中芯国际表示将在四季度开启基于 14nm FinFET 制程的量产芯片 。同时 , 该公司也在努力开发下一代主要节点(N+1) , 宣称具有可媲美 7nm 工艺的部分特性 。与中芯国际自家的 14nm 制程相比 , N+1 可在性能提升 20% 的同时降低 57% 的功耗、并将逻辑面积减少了 63%。
【『』中芯国际概述N+1节点投产计划 较14nm工艺更具成本优势】
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资料图(来自:SMIC)
但实际上 , 中芯国际表示 N+1 并不等同于 7nm 技术 。尽管新工艺可让 SoC 变得更小、更节能 , 但 N+1 带来的性能提升 , 仍无法与 7nm 竞品做到旗鼓相当 。
有鉴于此 , 中芯国际将 N+1 定位于更具成本吸引力的芯片制造技术 。该公司发言人称:“N+1 的目标是低成本应用 , 与 7nm 相比 , 其优势在 10% 左右” 。
此外 , 中芯国际的 N+1 工艺并未使用极紫外光刻(EUVL) , 因此该晶圆厂无需从 ASML 购买其它昂贵的设备 。
这并不说明该公司没有考虑过 EUV , 其确有获得 EUV 步进扫描系统 , 但有报道称因美方施压而尚未安装 , 导致中芯国际只得等到 N+2 工艺时采用上 EUV。
如果一切顺利 , 中芯国际有望在 2020 年 4 季度开始 N+1 制程的风险试产 , 并于 2021 或 2022 年转入大批量生产 。
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