:国产品牌异军突起:首款内置“中国芯”氮化镓快充产品上市!( 二 )
国产品牌异军突起
目前 , 对比传统的MOSFET 产品 , GaNFET由于采用异质外延材料 , 在设计及制造工艺上都有极大的挑战 , 全球范围内成熟的可量产的GaN产线十分有限 。
全球氮化镓快充背后的功率芯片技术掌握在三大主要供货厂家手上 , 其中英诺赛科是唯一上榜的国产硅基氮化镓厂商 。在当前中美贸易摩擦的大背景下 , 自主创新第三代半导体芯片避免关键技术被掐脖子 , 获得了许多厂商的关注 , 业界对其发展潜力十分看好 。
目前在快充领域已有超过10家企业基于英诺赛科氮化镓芯片成功开发出快充产品并实现量产 。此前市面上在售的氮化镓快充充电器均基于进口芯片开发 , 英诺赛科“InnoGaN”系列氮化镓芯片的成功商用 , 标志着国产氮化镓技术已经成熟 , 也正式打破了氮化镓功率器完全依赖进口的局面 。
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作为国内首家硅基氮化镓厂商 , 英诺赛科采用IDM商业模式(IDM: Integrated Design Manufacturer , 集成设计制造商 , 既有IC设计能力也有IC制造能力的公司) , 涵盖研发、设计、生产、测试、销售、市场、技术支持等各个环节;公司在珠海和苏州建有两个8英寸硅基氮化镓芯片研发生产基地 , 产品线覆盖40V-650V的全系列氮化镓芯片 , 自有失效分析和可靠性实验室 , 其在工艺先进性、产品覆盖面以及产能布局等核心方面都具有极大的优势 。
同时 , 借助IDM全产业链模式 , 及8英寸的生产加工工艺 , 英诺赛科“InnoGaN”系列对成本的控制也有着无可比拟的优势 , 这有利于促进了氮化镓快充产品的平民化 , 加速第三代半导体的大面积商用普及 。在未来的市场争夺战中 , 英诺赛科无疑是一位颇具实力的选手 。
充电头网总结
2020年USB PD快充在手机、笔记本电脑、平板电脑、汽车、生活家电等领域的渗透率已经呈现出复合级增长趋势 , USB-C接口的普及 , 让原本复杂、繁琐的充电接口趋于统一 。而生活中高频使用的手机、平板电脑、笔记本电脑三件套 , 原本出差需要携带三个充电器 , 现在一颗2C1A、2C2A的多口大功率快充就能满足用户所需 。
除了笔电市场充电技术的更新换代 , 5G商用临近 , 让手机续航、充电面临新的挑战 。当前手机电池技术没有重大突破 , 遇到高速网络、视频游戏等沉浸应用 , 续航成为制约手机使用时长的瓶颈 。这时采用全新氮化镓技术方案的有线快充 , 能够利用碎片化时间迅速补充电量 , 被市场极度看好和重视 , 现如今成为手机的重要卖点之一 。
近1-2年内 , 氮化镓快充会与基于传统的硅功率器件开发的快充共存 , 而未来3-5年 , 氮化镓器件市场的占比将会逐步扩大 , 这主要得益于其自身成本的不断降低和电源解决方案的高频化 。第三代宽禁带半导体器件的大面积应用即将到来 , 我们有幸得以见证这一刻的到来 。
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