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『芯片』全球首款128层QLC闪存武汉诞生，三年时间从跟跑追到并跑( 二 )




我国对光刻机使用技术的消化吸收和提升取得了很大进步
“芯片技术包括设计和制造两个环节，在设计上我国并不落后，但在制造上与国际差距很大 。”4月13日，华中科技大学武汉光电国家研究中心甘棕松教授接受长江日报采访人员采访时表示，高端闪存芯片过去我国主要依赖进口，现在长江存储研制出128层QLC闪存芯片，这对我们国家而言的确是个巨大进步 。该存储芯片虽然是全球首款，但并非全球最领先 。在芯片制造技术上，我国与国外差距依然较大，这个差距就是被“光刻机”卡住了脖子 。
甘棕松坦言，就芯片设计而言，我国华为海思等均掌握了芯片设计的核心技术 。制约我国芯片发展的主要是制造能力，尤其是缺乏高端光刻机 。目前，国际光刻机技术已经发展到了第五代，高端光刻机全部来自荷兰ASML公司 。荷兰第五代极深紫外光刻机禁止向我国出口是众所周知的事实 。2018年中芯国际耗资1亿欧元订购的我国唯一一台第五代极深紫外光刻机，原定于2019年初交付，但至今也没有到货 。在这种情况下，长江存储只能使用价格为7200万美元1台的第四代深紫外光刻机，用第四代深紫外光刻机就能够生产出128层QLC 3D NAND闪存芯片并且取得了很多优异的性能是个了不起的成就，这说明我国对光刻机使用技术的消化吸收和提升取得了很大进步 。
但是，长江存储相比于其竞争对手韩国三星则存在明显的软肋，三星已经从荷兰获得了最先进的第五代极深紫外光刻机 。我国在没有最先进光刻机的加持下，保持当前优势并最终取得对竞争对手的超越，仅仅靠提升光刻机使用技能研发光刻工艺是完全不够的 。
第六代光刻机样机取得突破
据悉，中国在2008年就已经启动国产化第五代极深紫外光刻机的研制计划，希望在2030年实现目标 。该计划瞄准的是第五代极深紫外光刻机，但是荷兰ASML公司目前已经启动了新版本第五代极深紫外光刻机的研制，并计划于2022年对外供货 。新版本第五代极深紫外光刻机可实现2纳米光刻工艺，可制造的芯片密度是旧版本的2倍以上，也就是说我国的第五代极深紫外光刻机还没有国产化成功，技术就已经落伍了 。
光刻机有没有弯道超车的可能？“我们团队已经研制出了第六代双光束超分辨光刻机的样机 。”甘棕松介绍，第五代极深紫外光刻机很难复制，所以才有荷兰ASML公司扬言“把图纸白送给你们也造不出来”，专项跟随仿制的思路研制光刻机是几乎不可能成功的 。“我们对第五代极深紫外光刻机进行了技术颠覆，而这种颠覆正是来自于寻找——为何第五代极深紫外光刻机国产化需要22年的问题” 。
据悉，甘棕松团队研发的第六代双光束超分辨光刻机，通过解决纳米光刻分辨率需要采用短波长紫外光源的关键难题，取得了绕过国际原有紫外光刻技术路线的突破 。
“相比于荷兰的第五代极深紫外光刻机，我们研制的第六代双光束超分辨光刻机的样机目前离大规模集成电路制造尚有一点差距，这主要受制于资金而不是技术 。”甘棕松告诉长江日报采访人员，第六代双光束超分辨光刻机因为是小型样机，一次曝光面积不大，但是较低性能版本的设备目前已经在国内实现了售卖 。第六代双光束超分辨光刻机不仅可以解决我国高端光刻机有无问题，而且还能够以极高的性价比优势颠覆芯片制造领域的国外技术垄断 。 （采访人员杨佳峰）
【编辑：朱曦东】
『芯片』全球首款128层QLC闪存武汉诞生，三年时间从跟跑追到并跑
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【『芯片』全球首款128层QLC闪存武汉诞生，三年时间从跟跑追到并跑】（作者：杨佳峰)


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