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【】长江存储正式发布128层闪存


今天 ， 本土存储大厂长江存储科技有限责任公司宣布 ， 其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功 ， 并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证 。
据长江存存储介绍 ， X2-6070作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存 ， 拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度 ， 最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量 。 此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060） ， 以满足不同应用场景的需求 。
【】长江存储正式发布128层闪存
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长江存储市场与销售高级副总裁龚翊（Grace）表示：“作为闪存行业的新人 ， 长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越 。 这既是数千长存人汗水的凝聚 ， 也是全球产业链上下游通力协作的成果 。 随着Xtacking? 2.0时代的到来 ， 长江存储有决心 ， 有实力 ， 有能力开创一个崭新的商业生态 ， 让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势 ， 达到互利共赢 。 ”
X2-6070充分发挥QLC技术特点
对闪存技术有了解的读者应该都知道 ， NAND 闪存通常可以分为SLC、MLC、TLC和QLC四类 ， QLC就是继TLC（3 bit/cell）后3D NAND的第四代存储方式 ， 也是当前最新一代的闪存技术 。 从原理上看 ， QLC的每个单元可储存4个数据 ， 那就意味着与前三种闪存相比 ， QLC闪存可以在同等的die面积上 ， 存储更多的数据 。 拥有成本更低、容量更大、高密更高等特点 ， 适合于读取密集型应用 。
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长江存储方面也表示 ， 其每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈 ， 共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元， 每个存储单元可存储4字位（bit）的数据 ， 共提供1.33Tb的存储容量 。
如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人” ， 一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3,665亿个房间 ， 每个房间住4“人” ， 共可容纳约14,660亿“人”居住 ， 是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍 。
闪存和SSD领域知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为：“QLC降低了NAND闪存单位字节（Byte）的成本 ， 更适合作为大容量存储介质 。 随着主流消费类SSD容量迈入512GB及以上 ， QLC SSD未来市场增量将非常可观 。 ”Gregory同时表示：“与传统HDD相比 ， QLC SSD更具性能优势 。 在企业级领域 ，QLC SSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟 ， 使其更适用于AI计算 ， 机器学习 ， 实时分析和大数据中的读取密集型应用 。 在消费类领域 ， QLC将率先在大容量U盘 ， 闪存卡和SSD中普及 。 ”
Xtacking 2.0 进一步释放闪存潜能
在2018年7月 ， 长江存储发布了其突破性3D NAND 架构Xtacking 。 为3D NAND闪存带来前所未有的高性能 ， 更高的存储密度 ， 以及更短的上市周期：
首先 ， 这个创新的架构可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路 。 这样就有利于选择合适的先进逻辑工艺 ， 以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能 。 存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工 。 当两片晶圆各自完工后 ， 创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses ， 垂直互联通道)将二者键合接通电路 ， 而且只增加了有限的成本 。
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其次 ， 传统的3D NAND架构中 ， 外围电路约占芯片面积的20~30% ， 降低了芯片的存储密度 。 随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高 ， 外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上 。 而长江存储的Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上 ， 从而实现比传统3D NAND更高的存储密度 。


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