「」【专利解密】长江存储改进3D NAND存储工艺，助力128层QLC( 二 )
此专利提出在3D NAND结构的沟道孔进行各层结构沉积步骤之前 ， 增大沟道孔区域的牺牲介质层刻蚀面积 ， 从而使得后续沉积形成沟道内各层结构时 ， ONOP叠层结构在牺牲介质层平面内位于层间介质层的下方 ， 对层间介质层起到支撑作用 。 在后续去除O/N堆叠结构中的氮化物层 ， 替换为导电金属 ， 制作形成栅极线之前 ， 由于牺牲介质层被去除 ， 仅剩余O/N堆叠结构中的层间介质层 ， 此时 ， 沟道孔内位于相邻两层层间介质层之间的ONOP结构对层间介质层起到支撑作用 ， 从而使得沟道孔和层间介质层的结构更加稳固 ， 进而降低了O/N堆叠结构中的牺牲介质层去除后 ， 层间介质层出现破裂或坍塌的风险 。
以上就是长江存储提供的一种3D NAND制作方法 ， 正是这一系列创新型想法的提出 ， 长江存储才能不断积累技术经验 ， 逐渐开发出具备强大市场竞争能力的32层、64层直到128层的NAND存储结构 ， 为国内半导体产业、5G、AI技术的发展提供强大助力 。
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