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「耐威科技」耐威科技改名，战略升级，第三代半导体最新进展( 二 )


GaN 外延片方面 ， 以 6-8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）、碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）两种为主 ， 主要由控股子公司聚能晶源负责 ， 发布了 8 英寸硅基 GaN 外延晶圆与 6 英寸碳化硅基 GaN 外延晶圆 ， 同时创造性地将自有先进 8 英寸 GaN 外延技术创新性地应用在微波领域 ， 开发出了兼具高性能与大尺寸、低成本、可兼容标准 8 英寸器件加工工艺的 8 英寸 AlGaN/GaN-on-HR Si 外延晶圆 。
关于 GaN 外延片 ， 不同的异质外延介绍 ， 请参见“科创之道”之前的文章 ， 《第三代半导体投资分析》 。
GaN 器件方面 ， 由控股子公司聚能创芯负责 ， 向通讯设备、数据中心、新型电源、智能家电等领域 ， 已经陆续研发、推出不同规格的功率器件产品及应用方案 ， 并同时推动微波器件产品的研发 。
当然 ， 目前 GaN 业务还处于早期阶段 ， 并没有给 2019 年业绩带来实质性贡献 。
但根据年报披露 ， GaN 外延材料已经实现销售的零突破 。
【「耐威科技」耐威科技改名，战略升级，第三代半导体最新进展】已建成第三代半导体外延材料制造项目（一期） ， 掌握了业界领先的 8 英寸硅基 GaN 外延与 6 英寸碳化硅基 GaN 外延生长技术 ， 积极展开与下游全球知名晶圆制造厂商、半导体设备厂商、器件设计公司以及高校、科研机构等的合作并进行交互验证 。 销售了 60 余片 ， 销售金额为 45.06 万元 。
在 GaN 器件方面 ， 公司已陆续研发、推出不同规格的功率器件产品及应用方案 ， 已推出数款 GaN 功率器件产品并进入小批量试产 ， 与知名电源、家电及通讯企业展开合作 ， 进行器件系统级验证和测试 ， 同时持续推动微波器件产品的研发 。
注：GaN 是第三代半导体材料及器件的一个类别 ， 因其禁带宽度(Eg)大于或等于 2.3 电子伏特(eV) ， 又被成为宽禁带半导体材料 ， 与第一、二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比 ， 第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点 ， 可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求 。


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