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太白曰固态硬盘从MLC到TLC，再到QLC，闪存寿命一退再退，还能用吗？( 二 )


本文插图

固态硬盘的结构构造比起机械来说其实更为简单 。 固态硬盘的主体是一块PCB电路板 ， 在PCB上是构成固态硬盘体系的控制芯片缓存芯片和存储数据的闪存芯片 。

太白曰固态硬盘从MLC到TLC，再到QLC，闪存寿命一退再退，还能用吗？
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硅晶圆片
要想降低成本 ， 最直接的办法就是降低控制芯片、缓存芯片和闪存芯片的成本 。 就实际而言 ， 缓存芯片的操作简单 ， 无非是降低缓存大小 ， 甚至可以放弃缓存芯片 。 其次 ， 主控芯片可以使用性能较弱的主控 。 而至于闪存芯片 ， 则要考虑用新的技术工艺去解决 。 闪存芯片的发展
早先闪存使用的芯片是基于SLC技术（Single-Level Cell） ， 也就是“每一个存储单元中只存储一位数据” ， 这种闪存的好处是耐用、准确 ， 性能也好 ， 早期的企业应用存储首先的选择就是SLC闪存 。 当然了 ， SLC闪存的固态 ， 其价格和它的安全性一样“出色” 。
要想在不增加存储单元的情况下削减闪存成本 ， 最好的办法就是充分利用存储单元的空间 ， 所以MLC、TLC、QLC技术的闪存相应而来 。

太白曰固态硬盘从MLC到TLC，再到QLC，闪存寿命一退再退，还能用吗？
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MLC
MLC闪存的定义实际上是有歧义的 。 因为这个叫法的本意是“Multi-Level Cell” ， 意思是说“多级单元架构” ， 从这一点上来说 ， 之后的TLC、QLC甚至HLC、OLC都属于MLC范畴 。
不过呢 ， MLC主流还是当作“Binary-Level cell”来理解 ， 也就是“二级单元架构” ， 即“每一个存储单元中存储两位数据” 。 这样一来 ， 在不增加存储单元数量的前提下 ， MLC闪存就能做到比SLC闪存大约多一倍的存储数据的能力 。 TLC
TLC ， 即“Triple-Level cell” ， 意思是“三级单元架构” ， 即“每一个存储单元中存储三位数据” 。 ?QLC
事实上从MLC、TLC一路看下来 ， 大家也能猜到QLC什么意思——“Quad-Level Cell” ， 即“每一个存储单元中存储四位数据” 。

太白曰固态硬盘从MLC到TLC，再到QLC，闪存寿命一退再退，还能用吗？
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闪存的成本通过增加存储单元的存储能力得到了解决 ， 貌似看起来非常不错 ， MLC闪存做成同容量的TLC ， 成本大约减少一倍 ， 做成QLC成本就大约减少了三分之二 ， 而同样的成本下 ， TLC可以做到MLC的两倍容量 ， 而QLC能做到MLC的三倍 ， 怎么看都是在朝着“先进”发展 ， 但这样真的没有问题吗？闪存从MLC到TLC再到QLC带来的弊端
当然是有问题的 。 速度：
一个单元格存一位数据的时候 ， 我读取这个数据只需要对应单元格就行了 ， 因为进去就能找到数据 。 但是存两位数据的时候 ， 我读取写入不仅要对应单元格 ， 还需要在单元格的两个数据中找这个数据 。 寿命：
如果一个单元格读取写入数据的寿命是1000次 ， 对单元格进行一次完整的读取写入 。
一个单元格存一位数据的时候 ， 我对这个单元格写入一个“0” ， 读取一个“0” ， 寿命减少了一次 。
一个单元格存两位数据的时候 ， 我对这个单元格写入一个“0” ， 写入一个“1” ， 读取一个“0” ， 读取一个“1” 。 虽然写入和读取的内容多了 ， 但是同一个单元格也要被读取写入两次 。

太白曰固态硬盘从MLC到TLC，再到QLC，闪存寿命一退再退，还能用吗？
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没错 ， 闪存存储数据密度的增加 ， 带来的弊端正是速度和寿命上的降低 。 闪存寿命一退再退 ， 还能用吗？
固态硬盘对比机械硬盘 ， 最大的好处是理论上的稳定性、安全性（不用担心会有机械上的物理损伤 ， 不用担心坏道、震动损坏、磁头损坏等情况）、寿命（实际上机械硬盘不出现意外 ， 寿命要比普通固态长）和最重要的速度 。 而在闪存芯片革新的情况下 ， 寿命和速度都出现了理论上的降低 ， 这还能用吗？


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