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『台积电』上海微电子和中芯国际突然宣布，ASML和台积电的垄断局面即将消失


『台积电』上海微电子和中芯国际突然宣布，ASML和台积电的垄断局面即将消失
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『台积电』上海微电子和中芯国际突然宣布，ASML和台积电的垄断局面即将消失
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『台积电』上海微电子和中芯国际突然宣布，ASML和台积电的垄断局面即将消失


随着华为被断供 ， 让很多人知道即使一家企业能设计出高端芯片 ， 但其“存亡”依旧被台积电和ASML控制 ， 而台积电和ASML均被美国控制 。 光刻机对制造芯片很关键 ， 实际上光刻机对制造芯片仅占40％的工序 ， 与光刻机同一样 ， 光刻胶也非常重要 ， 很多人知道光刻机 ， 却不知道光刻胶 ， 这是集成电路的一种重要材料 ， 将光刻胶做涂层 ， 就能在硅片表面刻蚀所需电路图形 ， 是光刻机的核心材料 。

虽然我国是半导体生产大国 ， 特别是液晶面板 ， 但是都处于产业链下游 ， 液晶面板用的光刻胶几乎全是依赖进口 ， 被岛国几家公司牢牢掌握 。 即使是国产标杆京东方也需要从海外采购 ， 自主研发这个太难了 ， 目前我国最先进的是300多nm 。 而现在 ， 南大光电ARF光刻胶可用于7nm ， 这是国产半导体行业的又一次进步 ， 打破了美日垄断 ， 也可以跻身一流市场 。

首先带来好消息的是上海微电子成功突破技术瓶颈 ， 首台国产28nm光刻机将在2021年量产交付 ， 虽然与当前7nm工艺制程有4代左右的技术代差 ， 但也可以满足了除手机芯片以外的几乎所有芯片的工艺制程要求 ， 对于我国半导体产业的发展还是具有里程碑式的意义 。

更令人可喜的是在光刻技术的基础理论上也取得了重大进展 。 武汉甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制 ， 采用远场光学的办法 ， 光刻出最小9nm线宽的线段 ， 实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新 。 所以 ， 一旦将该技术运用到光刻机领域 ， 那么我国实现在光刻机领域的弯道超车也是指日可待 。

国产最先进光刻机企业微电子一旦突破高端水平 ， 就可以将设备卖给中芯国际 ， 最终美国控制的ASML和台积电的垄断优势即将消失 。 目前中芯国际也在不断发力 ， 都知道中芯国际最近动作频繁 ， 有了华为这个大客户后 ， 中芯的底气足了很多 ， 麒麟710A从台积电手中拿下 ， 现在7nm又有华为深度协助 ， 而且回A上市募资234亿元 ， 国内又战略注资150亿 ， 促进中芯规模量产和先进制程研发 。

【『台积电』上海微电子和中芯国际突然宣布，ASML和台积电的垄断局面即将消失】
排名世界第三的美国 ， 半导体企业格罗方德耗资700亿在成都建立公司 ， 因为放弃7nm ， 转而研发微电子和光电子芯片惨败 ， 市场份额也被国产代工厂压缩 ， 狼狈离开 。 其中国区副总裁宣布加入中芯国际 ， 为先进制程业务接单 。 这是因为中芯的7nm马上就要量产了 ， N+1的研发进程稳定 ， 已进入客户导入及产品认证阶段 。 格罗方德副总裁的加入 ， 会推动芯片业务 ， 回笼资金用于5nm和3nm的研发 ， 中芯国际已经开始加速追赶台积电 ， 使命重大 。

总之 ， 随着上海微电子和中芯国际的不断突破 ， 华为就不再担心台积电的断供 。


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