技术|使用FTJ技术构建的新存储设备
_原题为 使用FTJ技术构建的新存储设备
【技术|使用FTJ技术构建的新存储设备】[据英国电子周刊网站7月24日报道]南加州大学维特比工程学院的研究人员提出了一种基于铁电隧道结（FTJ）技术的新存储技术 。
FTJ设备有望提高数据上传速度 ， 延长智能手机电池寿命并减少数据损坏 。
南加州大学维特比工程学院电气与计算机工程副教授韩寒 ， 与博士后学者吴江滨 ， 博士生陈鸿宇和严晓东一起 ， 使用不对称金属和半金属石墨烯构建了基于FTJ的器件材料 。
通过采用这些材料并将它们构建为新颖的结构 ， 它们能够超越以前展示的所有FTJ的性能 ， 同时提供与硅电子产品集成的广阔前景 。
ARO固态电子学与电磁学项目经理Joe Qiu博士说：“这一突破将对美国陆军的未来电子产品产生重大影响 ， 使尺寸 ， 重量和功率得到改善的便携式电子系统成为可能 。 ”赞助了这个项目 。
此外 ， 这些材料接近原子级厚度的独特能力最终会导致生产线更快 ， 更节能的FTJ存储器 。
Wang说：“这些材料使我们能够构建可以按比例缩放到原子级厚度的设备 。 ”“这意味着可以大大降低读取 ， 写入和擦除数据所需的电压 ， 这反过来又可以使存储电子设备更加节能 。 ”
Wang和他的研究人员希望 ， 随着时间的流逝 ， 他们的设备可以扩大规模 ， 不仅可以替代我们在手机和USB记忆棒中看到的非易失性存储器 ， 而且可以替代D-RAM存储设备等易失性存储器在计算机中找到 。
另外 ， 该设备还可被设计为在单个单元内保存多位数据状态 ， 并且凭借其强大的耐用性和保留性 ， 它在内存计算和其他计算硬件中的应用具有广阔的潜力 。 （国家工业信息安全发展研究中心
李茜楠）
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