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三安光电|三安光电：跨界氮化镓，或打开业绩增长空间

_原题为 三安光电：跨界氮化镓 ， 或打开业绩增长空间
自从今年7月14日国内首颗具备量产条件的氮化镓快充主控制芯片发布以来 ， 氮化镓再次站上风口 ， 国内相关企业也随之成为人们关注的焦点 ， A股上市公司三安光电（600703）近年来不断布局氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)等产品陆续出货 ， 正式宣告跨界氮化镓领域 。
三安光电|三安光电：跨界氮化镓，或打开业绩增长空间
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跨界半导体领域
一直深耕于LED行业的三安光电 ， 在2014年5月延伸其Ⅲ-Ⅴ族化合物（LED用砷化镓及氮化镓芯片）的生产经验 ， 涉足化合物晶圆制造的代工服务 。 在2015年起全面布局化合物半导体 ， 试图成为化合物半导体制造领军者 。
三安光电2014年5月设立厦门三安集成并实施建设30万片/年砷化镓（GaAs）和6万片/年氮化镓（GaN）外延片生产线 。 直至2015年10月 ， 三安集成电路开始实施试生产 。
【三安光电|三安光电：跨界氮化镓，或打开业绩增长空间】时至今日 ， 经过近5年的持续努力 ， 三安光电研发的III-V族化合物半导体材料的应用领域成功从原有的LED外延片、芯片 ， 延伸到了光通讯器件、射频与滤波器、功率型半导体三个新领域 ， 基本涵盖了今后Ⅲ-V族化合物半导体材料应用的重要领域 。 此举或将为三安光电提供新的营收增长点 ， 进一步扩大公司体量 。
三安光电之所以能达成上述目标 ， 与其持续稳定的研发投入和对研发团队高度重视密不可分 。 仅2019年 ， 三安光电研发费用就同比增加36.44%达到1.97亿元 ， 其研发人员数量为2099人 ， 占公司总人数的17.33% ， 同比增长347人 ， 公司砷化镓出货客户累计超过90家 。 三安集成当年实现收入2.41亿元 ， 同比增长40.67% ， 2020第一季度实现收入1.66亿元 ， 营收能力得到市场验证 。
氮化镓应用广泛
三安光电新介入的氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体 ， 具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持宽带宽等特点 ， 是5G产业中的关键材料 。 GaN的禁带宽度是Si的3倍 ， 击穿电厂是Si的10倍 ， 因而在电力电子领域用于替代Si作为化合物半导体器件 。 同时 ， GaN拥有更高效率、更大带宽、更高功率 ， 可以输出更高的频率 ， 因而广泛应用于射频领域 。
根据Yole调查 ， 射频GaN市场将从2018年的6.45亿美元增长至2024年的20.01亿美元 ， 复合增速为21% 。 就目前应用情况来看 ， 射频GaN已成功应用于众多领域 ， 包括但不限于基站、雷达和航空中 ， 对LDMOS形成较强替代感知 。
据Yole统计 ， 2018年全球3W以上GaN射频器件（不含手机PA）市场规模达到4.57亿美元 ， 在射频器件市场（包含SiLDMOS、GaAs和GaN）的渗透率超过25% ， 同比提升5% 。 未来5至10年 ， GaN有望取代LDMOS ， 成为3W以上的射频功率应用主流技术 。
根据CASA预估 ， 全球移动通信基站射频功率器件市场规模约10亿美元 ， 国内中兴、华为、大唐总需求约3至4亿美元 ， GaN渗透率目前约8至12% 。 空间巨大且正在快速渗透 ， 相关公司有望迎来业绩增长期 。


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