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晶体管Transphorm的第二款900 V GaN场效应晶体管现已投入生产

【晶体管Transphorm的第二款900 V GaN场效应晶体管现已投入生产】
Transphorm宣布 ， 该公司的第二款900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产 。 TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧 ， 瞬态峰值额定值为1千伏 ， 现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证 。
开发和制造高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率半导体的先驱Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) 宣布 ， 该公司的第二款900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产 。 TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧 ， 瞬态峰值额定值为1千伏 ， 现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证 。 主要目标市场是广泛的工业和可再生能源 ， 包括光伏逆变器、电池充电、不间断电源、照明和储能等应用 。 此外 ， 凭借900 V产品组合 ， Transphorm正逐步扩大电压范围 ， 以涵盖三相应用 。
晶体管Transphorm的第二款900 V GaN场效应晶体管现已投入生产
本文插图
去年推出的TP90H050WS是该公司继TP90H180PS之后的第二款900 V器件 。 双芯片式常关型功率晶体管采用标准TO-247封装 ， 具有±20 V栅极鲁棒性 ， 从而提高其在电力系统中的可靠性和可设计性 。 Transphorm的高速GaN与耐热性强的TO-247封装相结合 ， 使系统在具有无桥图腾柱功率因数校正(PFC)的典型半桥配置中可获得超过99%的效率 ， 同时产生高达10 kW的功率 。
Transphorm技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示：“Transphorm在其900 V平台上所做的工作展示了高压氮化镓功率晶体管所具备的功能 。 该器件使我们能够支持我们之前无法涉足的应用 。 在提供这些50毫欧FET的样品时 ， 我们见证了来自客户的浓厚兴趣 。 我们可以自豪地说 ， 它们的供应状态现已转变为能够满足客户需求的大批量生产 。 ”
900 V GaN应用
伊利诺伊理工学院(IIT)目前正在一个先进能源研究计划署(ARPA-E)的Circuits计划中利用TP90H050WS开展相关工作 ， 该计划将Transphorm的前沿产品与IIT的创新型固态开关拓扑独特结合 。 该项目将为可再生能源微电网生产可靠的固态断路器(SSCB) 。 它包括使用900 V GaN器件开发自主操作、可编程的智能双向SSCB 。
伊利诺伊理工学院的John Shen博士解释道：“我们的SSCB项目需要一种非传统的电源转换解决方案 ， 该解决方案不仅要在速度方面优于机械式断路器 ， 而且还需要帮助我们降低功耗 。 Transphorm的GaN技术超出了我们的预期 。 它提供完整封装、 高功率密度、可靠的双向性 ， 并且作为市面上唯一的900 V GaN器件 ， 以一种小型封装提供了前所未有的功率输出 。 ”
900 V评估板
Transphorm借助其直交逆变器评估板来继续简化开发工作 。 TDINV3500P100-KIT采用四件TP90H180PS 170毫欧FET设计 ， 使用全桥拓扑来支持以100 kHz或以上频率运行的单相逆变器系统 。
该评估板及两款已投产的900 V晶体管可通过Digi-Key和Mouser获取 。
【来源：中电网】
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