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像梦一样奔驰|全球首款120W PD快充电源专用SiC Diode案例分享( 三 )

  • 采用自带独立驱动源引脚的TO-247-4封装 ， 可有效消除电压降对源极封装寄生电感的影响 ， 可以最大限度地减少门极振荡并减少系统损耗；
    • 2.兼容性强
    栅源电压VGS建议值为-4V和+15V ， 与普通MOSFET相同的栅极工作电压设计 ， 产品兼容性更强；
    3.低开关噪声
    反向传输电容低至3pF ， 可有效抑制开关噪声 ， 改善Vge波形振铃 ， 避免关断期间因栅极振动过大出现误导通现象；
    4.快速开关能力
    器件的总开启时间为33ns ， 关闭时间为44ns ， 可满足用户针对高速开关的需求；
    5.高安全性
    相比TO-247-3封装的漏极和源极之间的爬电距离5.44mm ， TO-247-4封装的漏极和源极之间的爬电距离高达8mm ， 产品具有更高的安全性；
    6.更低的成本
    单价成本相比Littelfuse（力特）LSIC1MO120E0080 和 Wolfspeed（科锐）C2M0080120D降低10% ， 全桥逆变单机用量4颗 ， 可大幅降低系统设计成本 。
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