中年英特尔未来7nm FPGA产品利用Foveros 3D堆叠技术
AnandTech 报道称 ， 封装技术将成为在未来半导体产品市场保持领先的主要战场之一 。 以英特尔为例 ， 这家芯片巨头将致力于在同一封装中整合多个元素 ， 同时主打高带宽和低功耗互联的特性 ， 以延续摩尔定律对芯片性能发展的预估 。 在今年的架构日活动上 ， 该公司就详细介绍了 EMID、Foveros 和 ODI 这三样先进的封装技术 。
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据悉 ，英特尔 下一代 FPGA 产品将基于英特尔自家的 7nm 工艺制造 ， 辅以当前一代的嵌入式多核心互联桥接(EMIB)和 Foveros 3D 封装技术 。
EMIB 的本质 ， 就是将少量硅管芯嵌入到 PCB 基板中 ， 允许两部分以相当密集的方式连接 ， 以实现高速、低功耗的点对点互联
这项技术已经在 Kaby Lake-G、Stratix 10 GX 10M FPGA 上得到应用 ， 以及即将推出的 Intel Xe 图形产品组合(如 Ponte Vecchio 和 Xe-HP) 。
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值得一提的是 ， 英特尔还分享了 EMIB 的免版税版本(被称作 AIB) 。 其具有迭代升级的途径 ， 可在更广泛的行业中得到应用 。
Foveros 则是英特尔的 3D 管芯堆叠技术 ， 主打高带宽和低功耗的点对点硅互联特性 。 目前其正在英特尔的 Lakefield 移动处理器中使用 ， 并将推广至 Ponte Vecchio、以及 FPGA 等未来产品 。
在 7nm 工艺的加持下 ， 芯片巨头将把堆叠技术应用到高带宽缓存(HBM IO)和 DDR 的裸片连接上 。 至于更多细节 ， 仍有待后续去揭晓 。
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AnandTech 认为 ， 英特尔的目标是为多种尺寸规格的 7nm FPGA 提供通用的基础裸片 ， 然后根据客户产品的实际需求(产品或成本)来调整 ， 比如将不同的变体堆叠至其顶部 。
从技术层面上来看 ， 英特尔将把同时应用了 EMIB 和 Foveros 技术的任何产品都称作 Co-EMIB。 而 7nm FPGA 可使用的新元素之一 ， 就是英特尔正在对其进行调整和验证的 224G PAM4 收发器模块 。
目前尚不清楚这些新款 7nm FPGA 将于何时发布 ， 但根据该公司在 PPT 上展示的一份路线图 ， 当前的 10nm Agilex FPGA 仍将是 2021 / 2022 年的产品主打 。 换言之 ， 我们可期待在 2023 年或之后见到采用新设计的产品 。
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最后来说说 ODI 全方位互联(Omni-Directional Interconnect):当在芯片制造使用 Foveros 工艺时 ， 出于散热方面的考虑 ， 通常必须将大功率的计算芯片放到 3D 堆叠的顶部 。
但是这么一来 ， 也导致其供电必须穿过重重基片才能抵达 ， 且意味着顶部的芯片面积通常比下层芯片要小 。 好消息是 ， ODI 使得顶部芯片的电路能够&ldquo垂挂&rdquo于边缘并直达顶部 ， 从而化解了这一尴尬 。
在充足能源的保障下 ， ODI 还有助于增加信号完整性、带来更高带宽的数据连接 ， 即便制造的布局和复杂性也会有所提升 。 当然 ， 该公司或首先在小芯片封装上进行试验 ， 然后推广至 Lakefield 之类的产品线 ， 而不是在 FPGA 中使用 。
【来源:cnBeta.COM】
【中年英特尔未来7nm FPGA产品利用Foveros 3D堆叠技术】
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