中年三星电子平泽工厂第二生产线开始量产
业界率先实现EUV制程第三代10纳米级LPDDR5 DRAM量产
- 实现DRAM量产后 , 预计生产新一代VNAND与超精细制程的晶圆代工产品
- 凭借更快更薄的产品抢占移动设备市场 , 下一步进军汽车电装市场
本文插图
三星电子 16GB LPDDR5
三星电子平泽工厂第二生产线的建筑面积达12.89万平方米(相当于16个足球场) , 是全球最大规模的半导体生产线 。
平泽工厂第二生产线首先实现DRAM量产 , 下一步计划生产新一代VNAND、超精细晶圆代工产品等 , 是一条技术尖端的综合生产线 , 将确保三星电子在第四次工业革命时代稳居半导体领域的核心地位 。
平泽工厂第二生产线本次投放的16Gb LPDDR5移动DRAM 达到最大容量和最高速度 , 是第三代的10纳米(1z)LPDDR5产品 , 性能超过以往任何一个产品 。
三星今年2月推出了第二代10纳米级(1y)制程 , 实现了 16Gb(吉字节)LPDDR5 DRAM的量产 , 短短六个月后勇攀高峰 , 再次升级生产线 , 生产出新一代1z制程的高新移动DRAM 。
新产品较原有旗舰智能手机使用的12Gb移动DRAM(LPDDR5 , 速率5500Mb/s)提速16% , 达到6400Mb/s 。 以16Gb产品为准 , 每秒可处理51.2Gb(吉字节)的数据 , 相当于10部全高清(Full HD)电影 。
※ 速率:64帧(x64 , JEDEC标准)封装为标准最高可达51.2Gb/s
16Gb LPDDR5移动DRAM可以仅由8个芯片构成16Gb的产品 , 较先前产品(8个12Gb芯片+4个8Gb芯片)在封装厚度上减少30% 。 从而为多摄像头、5G等零部件较多的智能手机 , 以及折叠屏手机等对厚度有较高要求的产品提供最佳解决方案 。
三星作为向全球智能手机企业提供新一代1z16GB移动DRAM的生产商 , 计划抢占明年兼具5G通信和AI功能的旗舰智能手机新市场 。 同时三星电子计划提供耐高温性能的产品 , 有望将供货范围进一步扩大到汽车电装用途 。
三星电子存储器事业部DRAM开发室副总裁李祯培表示 , 这次推出的1z纳米16Gb LPDDR5产品克服了史上最难攻克的技术性难关 , 创造了产品的新典范 , 突破精细制程的最高界限 , 未来三星电子的高新DRAM生产线将继续升级 , 更迅速地应对顾客需求 , 为扩大存储器市场贡献一份力量 。
【来源:美通社】
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【中年三星电子平泽工厂第二生产线开始量产】
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