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图 3. 用于 GaN 晶体管的单通道、隔离式 isoCoupler 驱动器。
新趋势：定制的隔离式 GaN 模块
目前， GaN 器件通常与驱动器分开封装。这是因为 GaN 开关和隔离驱动器的制造工艺不同。未来，将 GaN 晶体管和隔离栅驱动器集成到同一封装中将会减少寄生电感，从而进一步增强开关性能。一些主要的电信供应商计划自行封装 GaN 系统，构建单独的定制模块。从长远来看，用于 GaN 系统的驱动器也许能够集成到更小的隔离器模块中。如图 4 所示， ADuM110N (等微型单通道驱动器（低传输延迟、高频率）和 isoPower ADuM5020 设计简单，可支持这一应用趋势。

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图 4. iCoupler ADuM110N 和 isoPower ADuM5020 非常适合 Navitas GaN 模块应用。
结论
与传统硅基 MOSFET 相比， GaN 晶体管具有更小的器件尺寸、更低的导通电阻和更高的工作频率等诸多优点。采用 GaN 技术可缩小解决方案的总体尺寸，且不影响效率。 GaN 器件具有广阔的应用前景，特别是在中高电压电源应用中。采用 ADI 的 iCoupler?技术驱动新兴 GaN 开关和晶体管能够带来出色的效益。

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