国产光刻机的发展史( 三 )
到今天 ， 根据使用光源的改进 ， 光刻机已经经历了五代产品的发展：1.436nm g-line可以满足0.8-0.35 微米制程芯片的生产 ， 对应设备有接触式和接近式光刻机 。2.365nm i-line同样可以满足0.8-0.35 微米制程芯片的生产 。 设备于上相同 。最早的光刻机采用接触式光刻 ， 即掩模贴在硅片上进行光刻 ， 容易产生污染 ， 且掩模寿命较短 。 此后的接近式光刻机对接触式光刻机进行了改良 ，通过气垫在掩模和硅片间产生细小空隙 ， 掩模与硅片不再直接接触 ， 但受气垫影响 ， 成像的精度不高 。3.248nm KrF最小工艺节点提升至350-180nm 水平 ， 在光刻工艺上也采用了扫描投影式光刻 ， 即现在光刻机通用的 ， 光源通过掩模 ，经光学镜头调整和补偿后 ，以扫描的方式在硅片上实现曝光 。4.193nm ArF最小制程提升至 65nm 的水平 。 第四代光刻机是目前使用最广的光刻机 ， 也是最具有代表性的一代光刻机 。5.13.5nm EUV1-4 代光刻机使用的光源都属于深紫外光 ，第五代 EUV光刻机使用的则是波长 13.5nm 的极紫外光 。 目前只有ASML有能力生产 。目前光刻机市场主要的光刻机供应商有荷兰的ASML、日本的NIKON和CANON ， 以及中国大陆的上海微电子装备(SMEE) 。 但高端光刻机市场是由ASML一家 ， ASML公司掌握80%的国际市场份额 ， 2018年营收109亿欧元(折合人民币825亿) 。
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