4.5时序我们在买内存的时候经常会看到有网游提问“这款内存时序怎么样？” ， 也经常会在商品详情页看到关于内存时序的介绍 。 那么内存的时序到底是什么呢？
内存的时序其实就是内存的反应时间 ， 当内存收到CPU发来的指令后 ， 多长时间做出反应 ， 这就是内存的时序 。 要想反应的越快 ， 时序就要越短 。
我们以“CL16-18-18-38”这个时序为例 ， 时序中的四个数字分别对应着“CL-tRCD-tRP-tRAS” 。
CL（CASLatency）：列地址访问的延迟时间 ， 是时序中最重要的参数
tRCD（RAStoCASDelay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间
tRP（RASPrechargeTime）：内存行地址选通脉冲预充电时间
tRAS（RASActiveTime）：行地址激活的时间
DDR：（CL3*2000）/400MHz=15ns
DDR2：（CL5*2000）/800MHz=12.5s
DDR3：（CL9*2000）/1600MHz=11.5ns
DDR4：（CL15*2000）/2133=14ns
即使内存的时序会随着频率的增加而增加 ， 但最后内存的延时并没有太大的变化 。 频率相同时 ， 时序越低 ， 延迟也就越小 。 同样 ， 时序相同时 ， 频率越高 ， 延迟也就越小 。
金士顿基本是海力士CJR颗粒 ， 电压1.35V ， 时序CL15 。
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