半导体|进击的中国第三代半导体( 三 )
材料方面 ， 2019年GaN衬底已实现2-3英寸衬底小批量产业化 ， 4英寸可提供样品；用于电力电子器件的Si基GaN外延基本实现6英寸产业化和8英寸材料的样品研发 。 SiC衬底4英寸导电和半绝缘衬底已实现产业化 ， 6英寸导电衬底小批量供货 ， 已经研制出8英寸衬底；SiC同质外延目前商业化的尺寸为4-6英寸等 。
器件方面 ， 2019年商业化的Si基GaN HEMT最高电压为650V；硅基GaN射频器件性能位于国际前列水平 ， 工作频率145GHz-220GHz ， 已实现规模量化供货 。 SiC器件国内外产品涵盖的电压等级已经基本无差别 ， SiC SBD覆盖600V-3300V的电压范围；SiC MOSFET方面 ， 全SiC功率模块最高规格为1200V/600A等 。
不过 ， 目前全球第三代半导体产业大部分市场份额仍被美国、欧洲、日本等国家地区企业所占据 ， 我国第三代半导体企业在产能规模、解决方案、市场渠道以及品牌信任度等方面均与国际企业有较大差距 ， 如今正在努力追赶中 。
结 语
【半导体|进击的中国第三代半导体】尽管与国际巨头仍有差距 ， 但中国作为全球最大的半导体消费市场 ， 在市场风口到来、产业火热加码布局等利好因素加持下 ， 国内第三代半导体产业正在进击前行 。 随着相关企业持续扩增产能、降低生产成本、提高产品可靠性 ， 国产第三代半导体器件在下游应用市场的渗透率将日渐提升 ， 进一步推动国产替代进程 。
作者：张明花
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封面图片来源：拍信网
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