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芯智讯三星、SK海力士力推，DRAM制造进入EUV时代


摘要：虽然手机SoC对于半导体工艺制程要求较高 ， 目前不少已经进入了5nm ， 但对于DRAM内存芯片来说 ， 对于制程工艺的追求却要慢很多 。 不过 ， 近日据韩国媒体报道称 ， 三星电子全新半导体工厂“平泽2厂”（P2）已于开始运营 ， 这座目前全球最大的半导体工厂将率先采用EUV工艺来生产移动DRAM产品 。
【芯智讯三星、SK海力士力推，DRAM制造进入EUV时代】
芯智讯三星、SK海力士力推，DRAM制造进入EUV时代
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虽然手机SoC对于半导体工艺制程要求较高 ， 目前不少已经进入了5nm ， 但对于DRAM内存芯片来说 ， 对于制程工艺的追求却要慢很多 。 不过 ， 近日据韩国媒体报道称 ， 三星电子全新半导体工厂“平泽2厂”（P2）已于开始运营 ， 这座目前全球最大的半导体工厂将率先采用EUV工艺来生产移动DRAM产品 。
EUV是一种波长为13.5纳米极紫外线光源 ， 其波长大约是今天广泛使用的DUV深紫外光源的十分之一 ， 因此能够在半导体晶圆上刻画出更加精细的电路 。 由于简化了半导体制造工艺 ， EUV能够将制造精细电路所需的光刻工艺可近减少一半 ， 并大幅提高生产率 。 目前7nm以下的半导体制造必须依赖于EUV光刻机才能够实现 。
据三星电子的一位发言人此前向《电子时报》透露 ， 使用EUV的1a工艺 ， 生产效率是基于12英寸晶圆的1x工艺的两倍 。
然而 ， EUV光刻机造价昂贵 ， 单台超过1亿欧元 ， 所需投资巨大 ， 同时EUV光刻技术也有很高的技术壁垒 。 因此 ， 三星电子的EUV DRAM商业化决定不可谓不大胆 。 在今年3月将该技术应用于10nm级（1x）进程的DRAM之后 ， 三星已具备将该技术应用于其第三代1z进程DRAM的能力 。
据了解 ， 三星的EUV DRAM是基于其第三代10nm级（1z）工艺的16Gb LPDDR5 DRAM开发的全新移动DRAM产品 ， 传输速度达到6400 Mb/sis ， 比目前大多数旗舰智能手机的12Gb LPDDR5（5500 Mb/s）快16% 。 而当该DRAM被制成16GB封装时 ， 能够在一秒钟内处理51.2GB大小的文件 ， 相当于10部全高清电影（5GB） 。
三星电子的下一个目标是将该技术应用到下一代产品——第四代10nm级（1a）流程上的DRAM上 。 公司副董事长金基南（Kim Ki-nam）在今年3月举行的股东大会上表示 ， 该公司计划开发第四代10nm级DRAM和第七代V-NAND内存 ， 并计划在明年某个时候量产第四代10nm级DRAM 。
除了三星之外 ， 另一家DRAM大厂——SK海力士也已在加速推进其基于1a工艺的EUV DRAM产品量产计划 。
据韩媒报道称 ， SK海力士旗下未来技术研究所专门成立了一个EUV光刻工作小组 ， 正在研究EUV光刻所需的必要技术 ， 如光刻、蚀刻和掩模制造 ， 目标是将EUV工艺应用于明年初的1a dram生产 ， 同时为在2022年完成1b EUV DRAM的开发制定了路线图 。
据ETNews预计 ， SK海力士将在其下一代DRAM的生产基地M16芯片厂批量生产EUV DRAM ， 目前已经在园区内安装了两台EUV光刻机 。 一旦M16工厂的建设按计划在今年年底完成 ， SK海力士将开始在M16工厂建造与EUV光刻相关的必要设施和设备 。
专家预测 ， SK海力士将像三星电子一样 ， 在DUV光刻机难以实现的层级上应用EUV工艺 。 另有一些说法称 ， SK海力士已经确保了可观的EUV DRAM产量水平 。
目前 ， 三星电子、SK海力士和美光科技占据全球DRAM市场约94%的份额 ， 而三星电子和SK海力士约占74%的份额 。 而在这三家公司中 ， 也仅有美光尚未在其产品中引入EUV技术 ， 据悉正寻求用其现有的光刻技术尽可能满足需求 。
ETNews认为 ， 三星电子和海力士正寻求通过自己的EUV DRAM技术实现差异化 ， 这可能会导致市场的寡头垄断结构发生变化 ， 而这种情况本不可能改变 。 EUV DRAM将进一步扩大韩国半导体企业与中国半导体企业之间的差距 。


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