固态硬盘|SK海力士：NAND闪存将堆叠超过600层
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存储大厂SK海力士的CEO李锡熙(Seok-Hee Lee)近日在IEEE国际可靠性物理研讨会上发表主题演讲 ， 分享了在闪存、内存未来发展方面的一些规划和展望 。
3D NAND闪存方面 ， 如今行业的发展重点不是更先进的工艺 ， 也不是QLC、PLC ， 而是堆叠层数的不断增加 ， SK海力士就已经做到了176层 。
SK海力士此前认为 ， 3D闪存的堆叠层数极限是500层 ， 不过现在更加乐观 ， 认为在不远的将来就能做到600层 。
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当然 ， 为了做到这一点 ， 需要在技术方面进行诸多创新和突破 ， 比如SK海力士提出了原子层沉积(ALD)技术 ， 进一步强化闪存单元属性 ， 可以更高效地存储、释放电荷 ， 并且在堆叠层数大大增加后依然保持电荷一致性 。
为了解决薄膜应力(film stress)问题 ， SK海力士引入了新的氮氧化物材料 。
为了解决堆叠层数增加后存储单元之间的干扰、电荷丢失问题 ， SK海力士开发了独立的电荷阱氮化物(CTN)结构 ， 以增强可靠性 。
另外针对DRAM内存发展 ， SK海力士在考虑引入EUV极紫外光刻 ， 可将工艺制程推进到10nm以下 。
【固态硬盘|SK海力士：NAND闪存将堆叠超过600层】
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