Intel|QLC闪存标杆之作：Intel 670p SSD视频上手体验
去年底，Intel发布了新一代主流消费级SSD 670p，和前两代660p、665p一样都是QLC闪存颗粒，不过堆叠层数从64层、96层一路来到了144层，让670p成为全球第一个144层QLC闪存，对行业来说有一定的里程碑意义 。
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首先来看外观，670p采用标准M.2 接口，长度为80mm，PCIe 3.0 x4协议，可以兼容标准桌面和笔记本平台，且容量有三种选择；
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慧荣的主控制器，自带第三代固件；
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单面设计更加轻薄，更适合轻薄笔记本这样的移动平台；
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由于144层QLC闪存的存储密度大大增加，因此在1TB身上我们能看到其拥有两颗芯片；中间的缓存芯片来自华邦；
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在性能方面，官方宣称顺序读写最高可达3.5GB/s、2.7GB/s，对比上代660p分别提升了94％、50％，QD1和QD8的4K随机读写比上代也分别提升了41％、55％ 。
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另外670p还大大强化了固定和动态两种缓存分配机制，比上代增大了11％，1TB容量的固定缓存为12GB，动态缓存最大可以有140GB，可以很好的提升日常性能 。
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670p 1TB的最大写入量为370TBW，相当于每天0.2次全盘写入，平均每天可以写入200GB数据，这已经大大超出了绝大多数用户的日常需求，五年质保让你在可靠性和安全性上也不必有任何忧虑 。
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功耗方面，670p的读写功耗和待机功耗相较于上代均有降低，而L1.2休眠状态更是仅仅3毫瓦；只用上代一半的功耗，就达成了两倍的性能，即便是使用移动端平台进行办公创作等场景，670p也能应对自如；
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那么接下来通过一些常见基准测试软件，来看看它的实际性能表现到底如何 。
在CrystalDiskMark测试中，无论是1GB还是64GB数据包，670p的顺序读取速度都达到了标称的3.5GB/s，顺序写入接近2.8GB/s，甚至略超官方指标；
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AS SSD的测试压力更重，但是顺序读取依然稳稳超过了3GB/s，顺序写入也在2.5GB/s左右，非常理想，几乎达到了PCIe 3.0 x4带宽的极限 。即便是64线程高压的4K随机读写，也分别可以跑到最高850MB/s、1.3GB/s，颇为不俗 。
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ATTO测试中，即便是面对0.5KB的零碎小文件，读取速度也差一点超过100MB/s，写入速度则接近90MB/s，非常惊艳，要知道以往的SSD基本上都在20-30MB/s之间 。16KB的时候，读取速度已经逼近2GB/s，写入速度则超过1GB/s 。256KB开始就完全稳定下来，读取在3GB/s左右，写入在2.5GB/s左右，这和AS SSD测试是基本一致的 。
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HD Tune Pro测试来考察缓存外速度，测试文件体积选择为1.5GB 。可以看到，缓存内传输速度基本稳定在2GB/s左右，127GB左右之后速度明显变化，这也正是670p 1TB版的缓存容量 。
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缓外速度大约在250MB/s，只有缓内速度的八分之一，差距还是比较明显的，但在日常应用中，我们几乎不可能碰到一次用完接近130GB缓存的情况，所以缓外速度影响并不大 。
【Intel|QLC闪存标杆之作：Intel 670p SSD视频上手体验】温度测试，我们把670p放在微星主板第一个M.2插槽上，用的是主板自带的M.2散热片 。
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