igbt(igbt符号)( 二 )
IG *** 是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点 。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小 。IG *** 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低 。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 。IG *** 分为七类：1、低功率IG ***IG *** 应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发展需求推出低功率IG *** 产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用 。2、U-IG ***U（沟槽结构）-IG *** 是在管芯上刻槽，芯片元胞内部形成沟槽式栅极 。采用沟道结构后可进一步缩小元胞尺寸，减少沟道电阻，进步电流密度，制造相同额定电流而芯片尺寸最少的产品 。现有多家公司生产各种U-IG *** 产品，适用低电压驱动、表面贴装的要求 。3、NPT-IG ***NPT（非穿通型）-IG *** 采用薄硅片技术，以离子注进发射区代替高复杂、高本钱的厚层高阻外延，可降低生产成本25%左右，耐压越高本钱差越大，在性能上更具有特色，高速、低损耗、正温度系数，无锁定效应，在设计600—1200V的IG *** 时NPT—IG *** 可靠性更高 。NPT型正成为IG *** 发展方向 。4、SDB-IG ***采用SDB（硅片直接键合）技术在IC生产线上 *** 第四代高速IG *** 及模块系列产品，特点为高速，低饱和压降，低拖尾电流，正温度系数易于并联，在600V和1200V电压范围性能优良，分为UF、RUF两大系统 。5、超快速IG ***研发重点在于减少IG *** 的拖尾效应，使其能快速关断，研制的超快速IG *** 可更大限度地减少拖尾效应，关断时间不超过2000ns，采用特殊高能照射分层技术，关断时间可在100ns以下，拖尾更短，重点产品专为电机控制而设计，现有6种型号，另可用在大功率电源变换器中 。6、IG *** /FRDIG *** /FRD有效结合，将转换状态的损耗减少20%，采用TO—247外型封装，额定规格为1200V、25、50、75、100A，用于电机驱动和功率转换，以IG *** 及FRD为基础的新技术便于器件并联，在多芯片模块中实现更均匀的温度，进步整体可靠性 。7、IG *** 功率模块IG *** 功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IG *** 芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM 。PIM向高压大电流发展，智能化、模块化成为IG *** 发展热门 。IG *** 有哪些主要用途
IG *** 是一种巨型的晶体管，和变压器风马牛不相及 。但是这种器件正是未来电力电子，电力传动，新能源等高科技产业的核心元件 。现今已有部分取代铜铁（传统变压器）铝（电容器）产业的倾向 。给你举两个例子：在大约6年以前，那时候手机充电器的重量还很重，因为里面有一个5W的变压器，而现在只用一个绿豆大小的晶体管驱动一个花生米大小的高频变压器就能实现隔离变压，日光灯镇流器也是如此 。这些只是一个缩影和先兆 。引进IG *** 的人才非常重要，IG *** 只是电力级别晶体管（电力半导体）的一个代表，还有MOSFET，GTO，IGCT 。未来的直流输变电，交流输变电，电解铝等设施可能不再需要变压器 。
推荐阅读
- 孩子注意力不集中
- 出国留学哪个国家便宜(出国留学费用低的国家)
- 北京 *** 交友(老人微博男丝锦纶袜)
- 90斤是多少公斤(110斤等于多少千克)
- 俄罗斯菜(俄罗斯菜谱大全)
- 穿杖(穿杖揭秘)
- ccd相机镜头(佳能镜头修理价目表)
- 德国大众帕萨特(别克)
- 1921年7月1日(2020年7月1日建党多少周年)
- 成都浴场安监控(成都镜头清洗店)