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DDR3时代
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压,从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读 。
DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度,尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz / 1066Mhz的速度,但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳 。
DDR3在DDR2基础上采用的新型设计:
1.8bit预取设计 , 而DDR2为4bit预?。?庋鵇RAM内核的频率只有接口频率的1/8 , DDR3-800的核心工作频率只有100MHz 。
2.采用点对点的拓扑架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担 。
3.采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能 。部分厂商已经推出1.35V的低压版DDR3内存 。
DDR4时代
2012年,DDR4时代将开启 , 起步频率降至1.2V,而频率提升至2133MHz,次年进一步将电压降至1.0V,频率则实现2667MHz 。
新一代的DDR4内存将会拥有两种规格 。根据多位半导体业界相关人员的介绍,DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术)方式并存 。
其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认 。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品,因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品 。
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