三年后北京5G热点全覆盖( 二 )
一是建设5G中高频射频器件产业创新中心 ， 支持有条件的企业建设6英寸砷化镓、氮化镓等化合物半导体工艺验证线 ， 积极吸引产业链上下游资源 ， 组建核心工艺团队 ， 以推进核心器件能力成熟、构建开发协作生态为目标 ， 搭建5G核心器件技术开发、中试验证工艺线、产品分析测试平台 ， 从根本上解决我国射频器件制造工艺能力不足问题 。
二是组织实施5G器件设计专项 ， 完善5G芯片设计工具 ， 组织一批芯片设计公司研发射频天线、功率放大器、低噪声放大器、滤波器、开关以及模组等产品 ， 实现处理器、高端模数/数模转换器、高端锁相环等芯片和器件从无到有 ， 突破中高频系统解决方案能力 。
三是打造5G器件研发制造基地 ， 以经济技术开发区和顺义第三代半导体产业基地为主体 ， 引进培育一批器件设计、关键材料制备、特色产品制造与封装企业 ， 争取到2022年全球市场份额占比10%以上 。
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