三星宣布完成5纳米EUV开发，性能提高10% 原标题：三星

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原标题：三星宣布完成5纳米EUV开发，性能提高10%

【环球网科技综合报道】4月16日，三星通过官网新闻中心宣布实现基于EUV光刻的5纳米FinFET工艺，并已准备好投入生产。据悉，这一成果由三星在韩国华城的S3晶圆厂及其供应链合作伙伴贡献。

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与7纳米相比，三星的5纳米FinFET工艺使特定面积的晶体管数量增加了25% ，性能提升10% ，功耗降低20% 。 ???此外，它是三星重复利用7纳米相关知识产权的成果，因此大幅减少了时间成本和落地成本。

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CNET报道称，三星代工业务高级副总裁ShawnHan表示，这款芯将于2020年第二季度全面生产。

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