光刻机核心技术是什么？为何说我国落后至少10年

光刻机的核心技术是什么？为何说我国落后ASML至少10年？互联网.乱侃秀现在说起光刻机，相信大家都是非常熟悉的了，在芯片制造过程中，光刻机特别的重要，是相当关键的一种设备。更重要的是，光刻机这种东西，中国虽然能生产，但实在太落后了，按网上的说法，离国际最先进的ASML起码有10年的差距。于是很多人就非常奇怪，说光刻机的核心技术究竟是什么？难道中国不能学习么？为何会落后10年这么久？

那么光刻机究竟是什么，是如何工作的呢？我们可以从光刻机的原理和工作过程说起。在芯片制造中，光刻机的原理其实就是放大的单反，光刻机就是将光罩上的设计好的集成电路图形通过光线的曝光印到光感材料上，形成图形，其中最核心的就是镜头。而由于光刻机的作用是用光在硅晶圆上刻画出电路线，所以分辨率和套刻精度是最重要的两项指标，分辨率是指光刻机应用于的工艺节点水平。而套刻精度，也就是指前后两道光刻工序之间彼此图形的对准精度，如果对准的偏差过大，就会直接影响产品的良率。

可见核心设备是镜头，核心技术是分辨率和套刻精度。镜头这东西目前主要是采购，比如从日本索尼、CANNO来采购，但分辨率、套刻精度就要靠装配工艺了。而ASML之所以这么强，就是强在分辨率和套刻精度上，这个是别人比不上它的最直接的地方，甚至网上有说法， ASML曾说公开图纸，别人也造不出高端光刻机，就是因为别人用同样的元件，也达不到它的分辨率精度和套刻精度，这就是最基本的差距。

而中国也有自己的光刻机，最牛的厂商是上海微电子（SMEE) ，目前能够量产90nm的光刻机，也就是指分辨率在90nm这个工艺节点上。而考虑到ASML到少在10年前就达到了这个水准，所以说中国的光刻机技术落后ASML至少10年。不过也有人说，就算ASML在原地等，中国10年也追不上，不知道大家对这个差距是怎么看的？