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■用钱堆出来的FinFET工艺( 五 )


格芯半导体（Global Foundries）
■用钱堆出来的FinFET工艺
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2018年8月27日（美国西部时间） ， 格芯半导体宣布 ， 为支持公司战略调整 ， 将无限期搁置7纳米FinFET项目 ， 并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案 。 由于战略转变 ， 格芯半导体将削减5%的人员 ， 其他技术人员将被部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品的工作上 。
格芯半导体是由原超微半导体（AMD）的制造业务部门在2009年3月分拆成立 ， 2010年收购了新加坡特许半导体（Chartered） ， 2015年7月完成收购IBM的半导体业务部门 ， 可以说 ， 格芯半导体继承了AMD、特许半导体（Chartered）和IBM的半导体基因 ， 绝对是半导体界的豪门贵族 。
格芯半导体的FinFET工艺原本师承IBM ， 2012年宣布推出自研的14XM（eXtreme Mobility）技术 ， 进军移动通讯市场 ， 计划在2014年量产；由于技术指标问题 ， 格芯放弃14XM ， 2014年转而从三星获得14纳米授权 ， 在2015年第一季度14纳米初级版14LPE成功通过了批量生产；三季度性能增强版本（14LPP）获得认证 ， 2016年量产；2017年推出为IBM Z服务器用处理器芯片定制的14HP技术 ， 这是业界唯一将三维FinFET晶体管架构结合在SOI衬底上的技术 。
由于AMD转投台积电 ， 导致格芯半导体宣布无限期搁置7纳米工艺研发 ， 事实上 ， 在收购IBM半导体部门 ， 格芯获得了更多的半导体专利及优秀研发人才 ， 充实了自己的研发实力 ， 并成功研发7纳米工艺 。 根据GF公布的数据 ， 7纳米工艺相比14纳米工艺可以在同样的功耗下提升40%以上的性能 ， 或者同样的性能下减少60%的功耗 ， 同时在核心成本上低了30% ， 现在出于IP、PDK和良品率的考量 ， 格芯半导体搁置了量产研发 。 也许哪天 ， 石油爸爸一高兴 ， 就又可以上马7纳米FinFET 。
目前看来 ， 格芯半导体的FinFET战略非常明确 ， 基于已验证的14纳米产品 ， 2017年宣布了12纳米工艺（12LP） ， 2018年已经由14LPP顺利过渡至12LP ， 燧原科技的邃思DTU芯片就是基于12LP工艺生产的 ， 拥有141亿个晶体管；2019年推出12LP+ 。 目前12LP/LP+工艺由位于纽约的最先进晶圆厂FAB8负责制造 。
近期传出要给英特尔找格芯半导体寻求14纳米FinFET工艺资源 ， 进行处理器芯片代工的消息 。 这将对格芯带来一丝好消息 。
在此还要提一下 ， 格芯的FDSOI工艺 。 目前在德国的工厂生产的22FDX和12FDX工艺 。 有设计公司表示 ， 12FDX的性能（不指晶体管的密度）堪比台积电的N7 。
联电（UMC）
■用钱堆出来的FinFET工艺
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联电的新任管理层在2017年7月表示 ， 联电共同总经理王石表示 ， 在先进制程战争中 ， 联电的客户群缩小 ， 但先进制程每个节点的演进 ， 其产能投资成本愈来愈高 ， 所以很容易发生当联电赶上最新制程时 ， 这项新制程已过了价格最高的黄金时期 ， 因此联电大胆将重点放在成熟制程上 。 也就意味着联电暂时放弃了对10纳米和7纳米等先进技术的研发 ， 注重在成熟制程上的获利 。
联电成立于1980年 ， 为台湾第一家半导体公司 ， 1995年转型晶圆代工 ， 2000年产出业界首批铜制程芯片；2001年开始采用12英寸晶圆；2005年产出业界第一个65纳米制程芯片 ， 2008年采用28纳米制程技术 。
2012年联电加入了IBM技术联盟 ， 派遣技术团队前住IBM晶圆厂 ， 并同步台湾R&D晶圆厂 ， 共同开发10纳米FinFET工艺 ， 并借此强化公司内部14纳米FinFET工艺开发 ， 2014年14纳米FinFET制程良率达到预期 ， 并在2017年第三季正式量产 ， 当年取得5000万美元的营收 ， 2018年更是取得营收高达1.5亿美元的佳绩 。


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