『ChinaAET电子技术应用』【学术论文】GaN FET的结构、驱动及应用综述( 八 )


[31] 唐刚 , 刘军 , 黄森 , 等.氮化镓器件在四相交错并联DC/DC变换器上的应用[J].自动化应用 , 2018(3):94-96.
[32] LU J L , HOU R , CHEN D.Opportunities and design considerations of GaN HEMTs in ZVS applications[C].IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition(APEC) , 2018:880-885.
[33] 卢俊诚 , 陈迪.氮化镓器件在大功率电力电子系统中的应用[J].电力电子技术 , 2017 , 51(9):1-2.
[35] GAMAND F , LI M D , GAQUIERE C.A 10-MHz GaN HEMT DC/DC boost converter for power amplifier applications[J].IEEE Transactions on Circuits and Systems II:Express Briefs , 2012 , 59(11):776-779.
[37] PUUKKO J , XU J , LIU L.Consideration of flyback converter using GaN devices[C].IEEE 3rd Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications(WiPDA) , 2015:196-200.
[38] 张雅静 , 郑琼林 , 李艳.考虑寄生参数的高压GaN高电子迁移率晶体管的逆变器动态过程分析[J].电工技术学报 , 2016 , 31(12):126-134.
[39] 李艳 , 张雅静 , 黄波 , 等.Cascode型GaN HEMT输出伏安特性及其在单相逆变器中的应用研究[J].电工技术学报 , 2015 , 30(14):295-303.
作者信息:
【『ChinaAET电子技术应用』【学术论文】GaN FET的结构、驱动及应用综述】伍文俊 , 兰雪梅


推荐阅读