江苏龙网

  1. 首页 > 人文 > >

「半导体行业观察」eMRAM时代终于要来了？( 三 )


格芯的差异化eMRAM部署在业界最先进的FDX平台上 ， 在易于集成的eMRAM解决方案中提供了高性能RF ， 低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合 ， 使客户能够提供新一代的超高性能 ， 低功耗MCU和连接的IoT应用 。
三星大约在一年前开始在28nm平台上开始批量生产eMRAM 。 2019年3月 ， 三星推出首款商用eMRAM产品 ， 三星的eMRAM模块采用三星的28nm FD-SOI工艺技术制成 ， 可以通过添加三个额外的掩膜集成到芯片制造工艺的后端 。 因此 ， 该模块不一定依赖于使用的前端制造技术 ， 允许将其插入使用bulk、FinFET或FD-SOI制造工艺生产的芯片中 。 三星表示 ， 由于其eMRAM在写入数据之前不需要擦除周期 ， 因此它比eFlash快1000倍 。 与eFlash相比 ， 它还使用了较低的电压 ， 因此在写入过程中消耗的能量大约为1/400 。
另外在2019 IEDM上 ， 三星成功演示了采用28nm FDSOI技术的高密度1Gb嵌入STT-MRAM 。 基于高度可靠且可制造的eMRAM技术 ， 在满足令人满意的读取 ， 写入功能和10年保留时间的情况下 ， 可以达到90％以上的高良率 。 并且达到了高达1E10周期的提高的耐久性 ， 从而扩展了eMRAM应用 。
英特尔是在2018年12月上旬的国际电子设备会议（IEDM）上首次发表详细介绍其MRAM研究的新论文 。 英特尔推出一款整合于其22nm FinFET制程的自旋转移力矩式记忆(STT-MRAM) ， 称其为首款基于FinFET的MRAM技术 ， 并表示该技术目前的生产已经就绪 。
除了台积电 ， 中芯国际和华为海思也开始积极进行布局 ， 并且取得了快速发展 。 但总体来看 ， 我国境内地区eMRAM技术领域则相对非常空白 ， 主要为几家高校和科研机构从事较为分散的自旋电子基础科研活动 。 在ISSCC 2020上 ， 国立清华大学介绍了关于STT-MRAM的进展 ， 他们证明22nm 1Mb 1024b-读和近内存计算双模式STT-MRAM宏具有42.6GB/s的读带宽 ， 适用于安全意识强的移动设备 。
在各大晶圆厂的努力之下 ， eMRAM的商业化发展很快 。 2018年 ， Arm发布了业界首款基于三星Foundry 28FDS工艺技术的嵌入式MRAM (eMRAM)编译器IP ， 包括一个位于18FDS (18nm FDSOI工艺)的eMRAM编译器 。 这一平台有助于推动在5G、人工智能(AI)、汽车、物联网(IoT)和其他细分市场的功耗敏感应用领域的推动新的前沿设计 。
2019年12月16日 ， Mentor宣布 ， 它将为基于Arm Found的eMRAM（嵌入式磁阻随机存取存储器）编译器IP提供独特的IC测试解决方案 ， 该解决方案基于三星的28nm FDSOI工艺技术 。 Mentor的eMRAM测试解决方案利用了Mentor经过行业验证的Tessent Memory BIST产品 ， 为SRAM和eMRAM提供了一套统一的存储器测试和修复IP 。
结语
虽然采用eMRAM技术的产品不会这么快出现在市场上 ， 但从这些晶圆大厂的发展走向来看 ， 新一代嵌入式记忆体技术与次世代非挥发性记忆体的组合不仅为旧式记忆体的困境带来新的发展契机 ， 也为新式记忆体解决方案的发展迈出一大步 。
本文为***作者原创 ， 未经授权不得转载


推荐阅读


上一篇：「钛媒体APP」韦尔奇的工业思维毁了GE的新经济时代？

下一篇：环球Tech■杭州未来科技城、高通中国、中科创达携手成立联合创新中心暨高通AI创新实验室