「半导体行业观察」芯片微缩的新方法( 二 )

  • 蚀刻通孔 , 通孔图案在一个方向上受到TiN金属硬掩模的约束 , 并且仅蚀刻暴露的选择性沉积材料 , 从而形成与底部金属层自对准的通孔 。
  • 图3展示了该自对准工艺的EPE和成本优势 。 【「半导体行业观察」芯片微缩的新方法】
    「半导体行业观察」芯片微缩的新方法
    本文插图
    图3.选择性工艺降低EPE和成本 。 结论此处介绍的三项工艺创新可提高工艺范围 , 减少成本和时间并提高性能 。
    1. 方形侧墙减少了SAQP工艺中的工艺步骤 , 从而减少了成本和工艺时间 。
    2. 定向蚀刻可改善T2T间距 , 从而实现更紧凑的布局 , 从而提高成本优势 。
    3. 选择性工艺可减少EPE并实现最大通孔尺寸 , 从而提高性能 。
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