ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器( 二 )
*2) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)
ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器。 同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性的功率晶体管 。
*3) 传导损耗、开关损耗
ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器。 因元器件结构的缘故,MOSFET和IGBT等晶体管在使用时会产生损耗 。 传导损耗是电流流过元器件时(ON状态时),受元器件的电阻分量影响而产生的损耗 。 开关损耗是切换元器件的通电状态时(开关动作时)产生的损耗 。
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