「三星集团」三星宣布已大规模生产512GB eUFS 3.1闪存 写入速度比上一代快3倍
站长之家(ChinaZ.com) 3月17日 消息:据外媒报道 ， 三星电子宣布该公司已经开始大规模生产面向智能手机的512GB嵌入式通用闪存(eUFS) 3.1 。
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据介绍 ， 这款新的闪存写入速度是之前的512GB eUFS 3. 0 的三倍 ， 达到每秒1200 MB 。 新版串行读取速度为2100 MB / s ， 随机读取和写入速度分别为100 ， 000 IOPS(每秒输入/输出操作)和70 ， 000 IOPS 。
三星称 ， 与使用固态硬盘或MicroSD卡的传统个人电脑相比 ， 这将大大加快智能手机的数据传输速度 。 此外 ， 三星的eUFS 3. 1 系列也将有256GB和128GB的容量 。
这家韩国科技巨头还表示 ， 其平泽工厂的P1 生产线已经开始生产六代V-NAND 。 与此同时 ， 其位于中国西安工厂的新X2 生产线已经开始生产五代V-NAND 。
【「三星集团」三星宣布已大规模生产512GB eUFS 3.1闪存 写入速度比上一代快3倍】三星在 2017 年底开始大规模生产512GB闪存 ， 并从 2018 年开始为智能手机提供这款产品 。 （zdnet）
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