江苏龙网

  1. 首页 > 资讯 > 科技 > >

[]芯片的3D化( 二 )


CPU和GPU的整合会推动百亿级别的超算的发展 ， 而这或许也会将英特尔与AMD之间的竞争带到另外一个阶段 。据外媒报道称 ， AMD和Intel都赢得了美国DOE百亿级超级计算机的合同 。
除此以外 ， 台积电也在积极发展3D封装业务 。据相关报道显示 ， 2019年4月 ， 台积电完成全球首颗3D IC封装技术 ， 预计2021年量产 。业界认为 ， 台积电正式揭露3D IC封装迈入量产时程 ， 意味全球芯片后段封装进入真正的3D新纪元 ， 台积电掌握先进制程优势后 ， 结合先进后段封装技术 ， 对未来接单更具优势 ， 将持续维持业界领先地位 。
格芯亦投身于3D封装领域 ， 2019年8月 ， 格芯宣布采用12nm FinFET工艺 ， 成功流片了基于ARM架构的高性能3D封装芯片 。据相关报道显示 ， 3D 封装解决方案（F2F）不仅为设计人员提供了异构逻辑和逻辑 / 内存整合的途径 ， 而且可以使用最佳生产节点制造 ， 以达成更低的延迟、更高的带宽 ， 更小芯片尺寸的目标 。另外 ， 格芯还表示 ， 因为当前的12纳米工艺成熟稳定 ， 因此目前在3D空间上开发芯片更加容易 ， 而不必担心新一代 7 纳米工艺所可能带来的问题 。
从数据来看 ， 据相关资料显示 ， 与传统封装相比 ， 使用3D技术可缩短尺寸、减轻重量达40-50倍;在速度方面 ， 3D技术节约的功率可使3D元件以每秒更快的转换速度运转而不增加能耗 ， 寄生性电容和电感得以降低 ， 同时 ， 3D封装也能更有效地利用硅片的有效区域 。基于3D封装的种种优势 ， 或许 ， 未来将有更多的玩家参与其中 。
[]芯片的3D化
文章图片

文章图片

存储产品的3D时代
伴随着三星、美光、东芝、英特尔纷纷开始投入到3D NAND的生产和研发中来 ， 存储产品也开始走向了3D时代 。在这些厂商发展3D闪存的过程当中 ， 也衍生了一些新的技术 ， 来助力其闪存产品向3D方向发展 。其中 ， 就包括了三星的V-NAND、东芝的BiCS技术3D NAND、英特尔的3D XPoint等 。
三星在3D NAND闪存上首先选择了CTF电荷撷取闪存（charge trap flash ， 简称CTF）路线 ， 相比传统的FG（Floating Gate ， 浮栅极）技术难度要小一些 。最终 ， 三星量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存 ， 目前已经发展了六代V-NAND技术 。据三星官方消息显示 ， 新款 V-NAND 运用三星电子有的“通道孔蚀刻”技术 ， 向前代 9x 层单堆叠架构增加了约 40% 单元 。这是通过构建由 136 层组成的导电模具堆栈 ， 然后垂直自上而下穿过圆柱孔 ， 形成统一的 3D 电荷撷取闪存 (CTF) 单元实现的 。
[]芯片的3D化
文章图片

文章图片

东芝方面 ， 东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling ， 强调的就是随NAND规模而降低成本 ， 号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低 ， 也意味着成本更低 。此外 ， 铠侠今年推出的UFS 3.1嵌入式Flash闪存芯片 ， 同样是基于东芝BiCS 3D存储技术打造 ， 设计容量包括128GB、256GB、512GB和1TB ， 主控和闪存都按照规范要求封装在11.5 x 13mm的尺寸之内 。去年12月 ， 铠侠还宣布 ， 其已开发出一种名叫“Twin BiCS FLASH”的新式半圆形 3D 存储单元结构 。据悉 ， 与传统循环设计的电荷陷阱单元相比 ， 铠侠首创的这种半圆形 3D 浮栅单元结构 ， 具有更大的编程 / 擦除窗口和斜率 ， 且单元尺寸做到了更小 。
而SK海力士方面 ， 则在去年6月宣布了其关于4D NAND的进展 。据相关报道显示 ， SK海力士将在世界上首次开发和量产128层1Tb级的TLC(Triple-Level cell ， 三层单元格)4D Nand闪存 。据悉 ， 在占据NAND市场85%以上的TLC产品中 ， SK海力士是第一个推出1Tb级产品的公司 。


推荐阅读


上一篇：@骁龙439和骁龙435

下一篇：@苹果公司关闭中国地区以外所有门店至3月27日