【手机】三星量产业内最快UFS 3.1手机闪存：写速1.2GB/s 三倍于UFS 3.0
【【手机】三星量产业内最快UFS 3.1手机闪存：写速1.2GB/s 三倍于UFS 3.0】今日 ， 三星电子宣布已开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存 ， 可用于手机、平板等 。相较上一代eUFS 3.0（512GB）闪存产品 ， 新款的写速提升了200% ， 达到了惊人的1200MB/s ， 比用于PC的传统SATA3 SSD（540MB/s）和UHS-I microSD存储卡（90MB/s） ， 可谓巨大的升级 ， 可消除8K、5G时代下的存储瓶颈 。
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其它性能参数还包括 ， 连续读取速度可达2100MB/s ， 随机读取速度就100K IOPS ， 随机写入速度70K IOPS 。当然 ， 这批新的eUFS 3.1闪存还有128GB和256GB容量 。
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另外 ， 三星还透露 ， 其位于中国西安市的X2线则已于本月开始生产第五代V-NAND（9x层） ， 韩国平泽市的P1线将很快转向第六代V-NAND闪存（1xx层）芯片的量产 ， 以满足日益增长的市场需求 。
此前 ， 西部数据、铠侠（原东芝存储）也介绍了UFS 3.1闪存产品 ， 但都是出样 ， 没有达到量产程度 。
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