驱动之家：中国刚突破 128 层 QLC 闪存 三星将首发 160 层闪存
上周中国的长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术 ， QLC类型容量做到了1.33Tb容量 ， 创造了三个世界第一 。 国产闪存突飞猛进 ， 三星等公司也没闲着 ， 三星正在开发160堆栈的3D闪存 。
对3D闪存来说 ， 堆栈层数越多 ， 容量就越大 ， 存储密度就越高 ， 这是3D闪存的核心竞争力 ， 2020年全球将大规模量产100+层的3D闪存 。
不过每家的技术方案不同 ， 东芝、西数的BiCS5代3D闪存是112层的 ， 美光、SK海力士有128层的 ， Intel的是144层 ， 而且是浮栅极技术的 ， 三星去年推出的第六代V-NAND闪存做到了136层 ， 今年也是量产的主力 。
在136层之后 ， 三星目前正在研发160层及以上的3D闪存 ， 将成为第七代V-NAND闪存的基础 。
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目前160层+的3D闪存还没有详细的技术信息 ， 韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺 ， 从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack） ， 以便制造更高层数的3D闪存 。
【驱动之家：中国刚突破 128 层 QLC 闪存 三星将首发 160 层闪存】考虑到三星在NAND闪存行业占据了超过1/3的份额 ， 实力是最强的 ， 不出意外160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发 ， 继续保持闪存技术上的优势 ， 拉开与对手的差距 。
对了 ， 单从层数上来说 ， 三星的160层+还不是最高的 ， SKHynix去年宣布正在研发176层堆栈的4D闪存 ， 不过他们家的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同 ， 不能单看层数高低 。
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