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DeepTech深科技激活“国产替代”，22家科创板半导体企业能否胜任？( 二 )

【DeepTech深科技激活“国产替代”，22家科创板半导体企业能否胜任？】
DeepTech深科技激活“国产替代”，22家科创板半导体企业能否胜任？
本文插图
图｜荷兰 ASML(阿斯麦)公司最尖端的 EUV(极紫外线)光刻机构造图（来源：ASML）工艺环节已有积累 ， 尖端能力道阻且长在半导体生产制造环节 ， 科创板企业技术水平多处于技术空白填补阶段 ， 在细分环节上正努力打破国外绝对垄断的局面 。 芯源微是一个比较典型的企业 ， 旗下光刻工序涂胶显影设备（涂胶 / 显影机、喷胶机）和单片式湿法设备（清洗机、去胶机、湿法刻蚀机）在国内已形成一定的规模 。 据中银证券统计 ， 中国本土晶圆产线上 ， 涂胶显影设备 95% 仍依赖进口 ， 作为光刻工艺中不可或缺的重要设备 ， 国产化趋势也势在必行 ， 芯源微是唯一一家有希望形成市场突破的本土企业 ， 但技术差距也很明显 ， 芯源微光刻工艺胶膜均匀涂敷技术和内部微环境精确控制技术已覆盖 28nm 及以上技术节点 ， 与国际知名企业持平 ， 但 28nm 以下技术节点暂无应用 。 还有一家正在科创板受理阶段的企业芯碁微装 ， 其在微纳直写光刻为技术核心的直接成像设备及直写光刻设备方面形成了初步的市场优势 ， 自主研发推出了适用于 500nm 及以上线宽的掩膜版制版光刻设备及 IC 制造直写光刻设备 ， 目前已成功实现该产品的进口替代能力 。 中微半导体的离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和 MOCVD 设备等关键设备正在让国产高端刻蚀设备的技术水平更进一步 ， 目前在 65nm、45nm、32nm、28nm、22nm、14nm、7nm 以及 5nm 微观器件的多种刻蚀生产线上已有应用 ， 聚焦用于集成电路、LED 芯片（包括先进封装、MEMS）等微观器件领域 ， 部分技术水平和应用领域已达到国际同类产品标准 。 整体来看 ， 在为数不多的科创板半导体企业中 ， 细分功能的专用芯片已形成了较强的国产替代优势 ， 尤其是随着近年来智能手机、IOT 设备、智能穿戴的量级增长和较快的迭代 ， 国内相关半导体厂商的发展势能有望进一步增强 。 这些方向不限于多媒体智能终端 SoC 芯片、红外探测器芯片、MEMS 传感器、大规模数模混合 SoC 芯片、LED 照明驱动芯片以及存储、模拟和混合信号集成电路、Wi-Fi 和蓝牙双模通信芯片、MCU 和 AI-IoT 芯片、电源管理芯片、高精度 ADC、信号链模拟芯片等等诸多细分领域 。 此外 ， 我们也必须客观地认识到 ， 芯片的生产制造是一套工艺复杂且精细化程度极高的流程 ， 即便我们不计成本地投入技术研发 ， 在高端芯片生产的诸多核心环节也难以完全由一个国家掌控 ， 全球半导体产业链的信任合作机制仍是产业良性发展的保障 。 值得欣慰的是 ， 目前国内厂商已在半导体材料领域和部分关键生产设备环节上 ， 正一点点进行技术积累和突破 ， 比如化学机械抛光液、光刻胶去除剂、300mm 及以下的主流半导体硅片量产、单晶硅制造、光刻工序涂胶显影设备、单片式湿法设备和泛半导体直写光刻设备等方面有望挺进更高端的水平 。 但是长期的技术鸿沟和壁垒并不能通过短促的研发投入和资本助力就能解决 ， 我们在 14nm 及以下的先进半导体制造工艺上仍与国际一流厂商存在数代差距 ， 加上最先进光刻机的重重进口阻碍 ， 半导体国产替代方案其实是一件既让人有信心 ， 又让人备感无奈的事情 ， 国内厂商需要少一些自吹自擂和自嗨 ， 多积累一些技术深耕和产业链核心技术话语权 。 结语宏观层面来看 ， 美国对华为乃至扩大对其他中国科技企业的限制策略 ， 或许意味着过去数十年中美在半导体、互联网等领域的强关联技术纽带被日渐磨损 ， 相关供应链和贸易进入了 “新纪元” ， 只不过这个“新纪元” 并没有让人产生美好的想象空间 ， 尽管一方咄咄逼人 ， 一方早有准备 ， 但对整个产业生态来讲仍是破坏性的 。 例如 ， 全球如今已有 170 多个国家的通信网络基础设施在使用华为的蜂窝基站、服务器产品和服务等 ， 美国强制切断华为的半导体供应链一定程度上也会波及很多其他国家和地区被迫寻找新的解决方案 ， 而且 ， 中国在许多美国半导体公司（例如高通）的收入中占了最大份额 ， 互相的钳制和产业割裂只会造成两国企业更大的经济损伤 ， 更无益于全球技术的协同进步 。 从古至今 ， 技术高地之争一直是一个国家强弱的具体体现 ， 也是全球格局变化的核心催化剂 。 对于中国企业来说 ， 或许这只是 “新纪元” 试炼的开始 ， 一方面 ， 还是需要多方努力让全球一体化协作回到正轨；另一方面 ， 本土化的供应链体系要看清差距蓄势发力 ， 为大国竞争提供 PlanB 方案 。 -End-


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