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【芯片】当年芯片技术是如何拱手相让的？如今有中国公司想完整拿回来！( 三 )


制程工艺方面 ， 同时进行着两个10nm级方案 ， 分别是1x nm的19nm和1y nm的17nm ， 分属两个不同的团队同时进行 ， 这与三星等巨头存在差距 ， 但距离不大 。
2018年1月 ， 合肥长鑫建成全国最大的单一12吋DRAM芯片晶圆生产产线 。 7月16日 ， 合肥长鑫召开了一场“控片投片总结会” ， 宣布正式投产电性片 ， 合肥长鑫是我国三大存储器项目第一个宣布建成投片的项目 。
会上 ， 朱一明接过72岁王宁国CEO的位置 ， 他是兆易创新的创始人 ， 此举被认为是合肥长鑫利用朱一明的影响力来进行国际采购和国际合作最重要的一步 。
10月22日 ， 朱一明访问欧洲 ， 先是希望从ASML ， 购买EUV光刻机 。 随后前往比利时Leuven ， 拜访IMEC（Interuniversity Microelectronics Centre ， 微电子研究中心） 。
9月21日 ， 2019世界制造业大会制造强国建设专家论坛在合肥召开 ， 合肥长鑫宣布总投资1500亿元的合肥长鑫DRAM芯片自主制造项目投产 ， 将生产国内第一代基于10nm级（19nm）制程工艺的8Gb DDR4内存 。
朱一明表示 ， “投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证 ， 今年底正式交付 ， 另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产 。 ”
到了今年5月14日 ， 京东上架第一个纯国产DDR4内存(采用国产长鑫颗粒)——光威弈系列Pro ， 这是合肥长鑫的第一个消费级DRAM芯片产品 。
在2016年5月立项到2020年5月14日消费级产品上市 ， 短短的五年时间内内 ， 合肥长鑫在元件、光罩、设计、制造和测试领域都积累了许多的技术和经验 。
截止到5月19日 ， 公开查询到合肥长鑫的发明专利及授权发明专利超过850项 ， 获得转移专利50余项 ， 在一份“不公布发明人”的转移专利中 ， 我们看到了一份名为“隔离沟槽的填充方法、设备及隔离沟槽的填充结构”的专利 ， 这便是现阶段合肥长鑫DRAM芯片的主要技术之一 。
除了自主研发外 ， 合肥长鑫的另一个关键词是“奇梦达” ， 这是朱一明欧洲之行的另一个成果 。
技术是护城河 ， 资金是助推剂2006年5月1日 ， 由英飞凌半导体部门分拆而成的新内存公司奇梦达成立 ， 并迅速成为全球第二大的DRAM公司、300mm工业的领导者和个人电脑及服务器DRAM产品市场最大的供应商之一 。
因2008年次贷危机的影响 ， 奇梦达于2009年1月23日向法院申请破产保护 ，4月1日 ， 奇梦达正式进入破产清算程序 ， 这个时候 ， 它的市场占有率依旧高达10% ， 位列当时全球第五大DRAM芯片供应商 。
奇梦达是DRAM芯片技术的另一个流派 。
2006年9月18日 ， 奇梦达与南亚（Nanya Technology）合作 ， 宣布推出基于75nm制程工艺的DRAM芯片的全新沟槽式技术(Trench Wordline Technology) ， 这完全不同于三星、海力士和镁光掌握的堆栈式技术（Stacking Wordline Technology） 。
沟槽式的意思就是在记忆体上往下挖 ， 以达到更大的储存空间 ， 而堆栈式顾名思义就是在记忆体上面往上堆 ， 以获得更大的存储空间 。
沟槽式遇到的技术瓶颈 ， 会比堆栈式的快 ， 显然 ， 奇梦达也发现了这个情况 ， 随后 ， 便开始了新技术的研发 。
2008年2月2日 ， 在IEDM2008大会上 ， 奇梦达提交了名为《6F2 buried wordline DRAM cell for 40nm and beyond》的论文 ， 正式提出了基于40nm级（实际是46nm）的埋入式字线技术(Buried Wordline) ， 这是一种基于“沟槽式技术”的技术变种 ， 实现方式类似于堆栈式技术 。
这一技术再一次成为了DRAM芯片发展史上的重要技术节点之一 ， 奇梦达重新将DRAM芯片技术定义为“埋入式”和“堆栈式” 。
4月22日 ， 奇梦达与华邦（Winbond）签订65nm 埋入式技术DRAM芯片技术移转协议 ， 该项协议的重要内容便是将奇梦达近期发表的埋入式DRAM芯片技术在后期的发展中纳入到华邦以后的生产中 ， 并取代之前的58nm制程技术 。 此时 ， 基于埋入式技术的46nm制程工艺的开发已经完成 ， 但是 ， 危机已经来临 。


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